8 GHz DPDTマイクロメカニカルRF MEMSスイッチ(ESD強化)ループバック付き
M2CG
これは高出力DPDTマイクロメカニカルRF MEMSスイッチです(長さ*幅*高さ:7.5*4.4*2.0mm)。 各チャンネルは9W以上の正方向電力を持つことができます。 このRF MEMSスイッチは、DCから8GHzまでの超低挿入損失と優れた直線性を提供し、30億回以上のオン/オフ操作が可能です。 M2CGは、2KV HBMまでの強化されたESD保護を提供するために設計されています。 線形性、挿入損失、ESD保護が重要なパラメーターとなるアプリケーションにおいて理想的です。
機能
- DCから8GHzまで
- DPDT
- 高線形性 IP3 > 90 dBm
- オン状態の挿入損失:8GHzで3.0 dB
- 8 GHzでの35 dBの絶縁
- オフ状態の容量は15fF
- 30億回のスイッチング動作
- 3マイクロ秒のオン時間
- 2000V ESD(HBM)
コンタクトフォーム
- DPDT (MEMS Switch)
周波数
- 8 GHz
電力ハンドリング
- 9W (CW) 100W (Pulsed)
負荷電圧(V)
- 150
負荷電流(A)
- 0.5
オン抵抗(Ω)
- 1
挿入損失
- 3dB @ 8GHz
戻り損失
- 10dB@ 8GHz
絶縁
- 35dB
ESD保護
- 2,000V
アプリケーション
- スイッチドフィルターバンクおよびチューナブルフィルター
- 高出力RFフロントエンド
- 半導体テスト
- アンテナチューニング
- アンテナビームステアリング
- デジタルステップ減衰器
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