SiC MOSFETリレー(1500Vから6600V)
シリコンカーバイドMOSFETを光結合リレーに適用することで、負荷電圧は最大3300Vまで増加し、開発中では6600Vにまで向上します。 入出力の分解電圧は3750Vと5000Vの選択肢があります。 これらの高負荷電圧オプトSiC-MOSFETリレーはAEC-Q101認定を受けており、Bright Towardの工場の1Kグレードクリーンルームで製造されています。
画像 | name | コンタクトフォーム | 負荷電圧(V) | 負荷電流(A) | ダウンロード | アクション |
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AA51 | 1200V/470mA/DIP6-5ソリッドステートリレー(SiC MOSFET) | 1 Form A | 1200 | 0.47 | ||
AA51F | 1200V/470mA/SMD6-5 ソリッドステートリレー(SiC MOSFET) | 1 Form A | 1200 | 0.47 | ||
AM51 | 1200V/470mA DIP8-6ソリッドステートリレー(SiC MOSFET) | 1 Form A | 1200 | 0.47 | ||
AM51F | 1200V/470mA/SMD8-6 ソリッドステートリレー(SiC MOSFET) | 1 Form A | 1200 | 0.47 | ||
AA52 | 1700V/350mA/DIP6-5 固体リレー (SiC MOSFET) | 1 Form A | 1700 | 0.35 | ||
AA52F | 1700V/350mA/SMD6-5 ソリッドステートリレー(SiC MOSFET) | 1 Form A | 1700 | 0.35 | ||
AA53 | 3300V/300mA/DIP6-5 ソリッドステートリレー(SiC MOSFET) | 1 Form A | 3300 | 0.3 | ||
AA53F | 3300V/300mA/SMD6-5 ソリッドステートリレー(SiC MOSFET) | 1 Form A | 3300 | 0.3 | ||
AM53 | 3300V/300mA/DIP8-6 ソリッドステートリレー(SiC MOSFET) | 1 Form A | 3300 | 0.3 | ||
AM53F | 3300V/300mA/SMD8-6 ソリッドステートリレー(SiC MOSFET) | 1 Form A | 3300 | 0.3 | ||
AN53 | クリープ距離を改善するためのパッケージユニーク、3000V/500mA、固体状態リレー | 1 Form A | 3000 | 0.5 | ||
AS53F | 3300V/350mA/SO16 ソリッドステートリレー(SiC MOSFET) | 1 Form A | 3300 | 0.35 |