SiC-MOSFET-Relais (1500V bis 6600V)
Durch den Einsatz von Siliziumkarbid-MOSFETs in unseren optisch gekoppelten Relais werden die Lastspannungen auf bis zu 3300V erhöht, mit 6600V in der Entwicklung. Die Eingangs-/Ausgangs-Durchbruchspannung liegt bei Auswahlmöglichkeiten von 3750V und 5000V. Diese Opto-SiC-MOSFET-Relais mit hoher Lastspannung sind nach AEC-Q101 zertifiziert und werden in den Reinräumen der Klasse 1K der Fabrik von Bright Toward hergestellt.
Bild | name | Kontaktformular | Lastspannung (V) | Lastspannung (A) | Herunterladen | Aktion |
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AA51 | 1200V/470mA/DIP6-5 Solid State Relais (SiC MOSFET) | 1 Form A | 1200 | 0.47 | ||
AA51F | 1200V/470mA/SMD6-5 Solid State Relais (SiC MOSFET) | 1 Form A | 1200 | 0.47 | ||
AM51 | 1200V/470mA DIP8-6 Solid State Relais (SiC MOSFET) | 1 Form A | 1200 | 0.47 | ||
AM51F | 1200V/470mA/SMD8-6 Solid State Relais (SiC MOSFET) | 1 Form A | 1200 | 0.47 | ||
AA52 | 1700V/350mA/DIP6-5 Solid State Relay (SiC MOSFET) | 1 Form A | 1700 | 0.35 | ||
AA52F | 1700V/350mA/SMD6-5 Solid State Relais (SiC MOSFET) | 1 Form A | 1700 | 0.35 | ||
AA53 | 3300V/300mA/DIP6-5 Solid State Relais (SiC MOSFET) | 1 Form A | 3300 | 0.3 | ||
AA53F | 3300V/300mA/SMD6-5 Solid State Relais (SiC MOSFET) | 1 Form A | 3300 | 0.3 | ||
AM53 | 3300V/300mA/DIP8-6 Solid State Relais (SiC MOSFET) | 1 Form A | 3300 | 0.3 | ||
AM53F | 3300V/300mA/SMD8-6 Solid State Relais (SiC MOSFET) | 1 Form A | 3300 | 0.3 | ||
AN53 | Paket einzigartig zur Verbesserung des Kriechwegs, 3000V/500mA, Solid State Relais | 1 Form A | 3000 | 0.5 | ||
AS53F | 3300V/350mA/SO16 Solid State Relay (SiC MOSFET) | 1 Form A | 3300 | 0.35 |