1200V/470mA DIP8-6 Solid State Relais (SiC MOSFET)
AM51
DIP8-6, 1200V/ 470mA, Opto-MOS Relay (SiC MOSFET)
Mit einer Betriebsspannung von 1200V in einem kompakten DIP8-6-Gehäuse ist der Siliziumkarbid-Miniatur-IC-Festkörperrelais für Hochspannungsanwendungen wie die Isolationsdetektion in Batteriemanagementsystemen (BMS) konzipiert. Um den hohen Spannungs- und Haltbarkeitsanforderungen der Elektrofahrzeugindustrie gerecht zu werden, haben wir Siliziumkarbid als Material für die internen MOSFETs in unseren Miniatur-Relais verwendet. Dadurch sind Anwendungen in rauen Umgebungen möglich. Das berührungslose Design ermöglicht auch eine nahezu unbegrenzte Betriebsdauer. Mit einem DIP8-6-Gehäuse wird der Kriechweg verbessert, um die Isolierung zu erhöhen. Das SiC-IC-Halbleiterrelais AM51 wird in unserem Werk mit ISO9001- und IATF16949-Zertifizierungen entwickelt, hergestellt und getestet.
Funktionen
- Miniaturformat
- Abmessungen: 9,8* 6,4* 3,4 mm
- Lange Lebensdauer (ohne mechanische Kontakte)
- Geräuschloser Betrieb (ohne mechanische Kontakte)
- Hervorragende Linearität
- Erfordern geringe Ansteuerung Strom/ Spannung
- Minimiertes Rauschen
- Hohe Isolierung
- Hohe Isolation
Kontaktformular
- 1 Form A
I/O-Durchbruchspannung
- 3750
- 5000
Art der Last
- AC
- DC
Lastspannung (V)
- 1200
Lastspannung (A)
- 0.47
Gehäusetyp
- DIP8-6
Einschaltwiderstand (Ω)
- 0.6
Anwendung
- Batteriemanagementsystem (BMS)
- Isolationsdetektionsmodule
- Elektrofahrzeug
- Ladestationen
- Hochspannungsschutzmechanismus
- Automatisches Testequipment (ATE)
- Industrielle Steuerung
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