1800V/30mA Solid State Relay(SiC MOSFET),DIP6-5
AA58
DIP6-5,1800V/30mA,Opto-MOS Relay (SiC MOSFET)
Dies ist ein SiC-MOSFET-Ausgangs-Miniatur-Halbleiterrelais, das Spannungen von bis zu 1800V lädt. Siliziumkarbid wird als Material für den MOSFET im Relais verwendet, was eine hohe Lastspannung mit herausragender Leistung in der Haltbarkeit ermöglicht. Mit Anwendungen wie Wechselrichtern, Aufladestationen im Freien und Isolationsdetektionsmodulen für Batteriemanagementsysteme. Unsere miniaturisierten Siliziumkarbid-MOSFET-Ausgangs-Halbleiterrelais können der volatilen Umgebung, Feuchtigkeit und schwankenden Temperaturen standhalten. Alle Fertigungsprozesse werden in Reinräumen der Klasse 1k in unserer Fabrik mit ISO9001- und IATF16949-Zertifizierungen durchgeführt.
Funktionen
- Opto-SiC-MOSFET-Relais
- Kleinformat
- Abmessungen: 8,8* 6,4* 3,4 mm
- Siliziumkarbid-MOSFET
- Langlebigkeit (ohne mechanische Kontakte)
- Geräuschlose Operationen (ohne mechanische Kontakte)
- Hervorragende Linearität der Leistung
- Erfordern geringen Ansteuerungsstrom/-spannung
- Minimiertes Rauschen
- Hohe Isolierung
- Hohe Isolation
Kontaktformular
- 1 Form A
I/O-Durchbruchspannung
- 5000
Art der Last
- AC
- DC
Lastspannung (V)
- 1800
Lastspannung (A)
- 0.03
Gehäusetyp
- DIP6-5
Einschaltwiderstand (Ω)
- 100
Anwendung
- Batteriemanagementsystem (BMS)
- Isolationsdetektionsmodule
- Elektrofahrzeug
- Ladestationen
- Hochspannungsschutzmechanismus
- Automatisches Testequipment (ATE)
- Industrielle Steuerung
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1200V/470mA/DIP6-5 Solid State Relais (SiC MOSFET)
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Mit der Fähigkeit, bis zu 3300V Lastspannung in einem DIP6-5-Gehäuse zu tragen, sind unsere...
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Die SMD6-5 Siliziumkarbid-IC-Halbleiterrelais zeichnen sich durch eine Lastspannung von 3300V...
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Mit der Fähigkeit, bis zu 3300V Lastspannung in einem Miniatur-DIP8-6-Gehäuse zu tragen,...
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Mit der Fähigkeit, bis zu 3300V Lastspannung in einem SMD8-6-Gehäuse zu tragen, sind unsere...
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