Bright Toward veröffentlicht 3300V SiC-basierte Opto-MOSFET-Relais | B.T - Ein Hersteller von Solid-State-Relais, Reed-Relais und MEMS-Schaltern.

Bright Toward Industrial Co., LTD. glaubt an Siliziumkarbid als die Zukunft der Leistungselektronikkomponenten. Wir haben Opto-SiC-MOSFET-Relais mit 1700V und 1800V veröffentlicht und werden eine weitere Linie von Opto-SiC-MOSFET-Relais mit 3300V und 6600V veröffentlichen. Unsere Opto-SiC-MOSFET-Relais können verschiedene Anwendungen unterstützen, von Elektrofahrzeugen über Hi-Pot-Tests, Konverter, Wechselrichter, medizinische Geräte, Satellitenantriebe und vieles mehr. Bright Toward hat 2017 sein erstes SiC MOSFET-Relais auf den Markt gebracht. Danach haben wir unsere Automobilkunden überzeugt, die Si-basierten Relais durch SiC-basierte zu ersetzen. Viele Kunden haben unsere SiC-basierten Produkte validiert und in ihren BMS-Designs angewendet, darunter CATL und Volkswagen. B.T Bright Toward veröffentlicht die Einführung von 3300V SiC-basierten Opto-MOSFET-Relais. Bright Toward Industrial Co., LTD. ist ein Hersteller von Solid-State-Relais, Reed-Relais und MEMS-Schaltern. Hersteller von Opto-MOSFET Solid State Relais, Reed Relais und RF MEMS Schaltern. Wir bedienen hauptsächlich die Halbleiterprüfung, ATE, BMS (Batteriemanagementsysteme), Industriemaschinen und Elektrofahrzeugindustrie.

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Bright Toward veröffentlicht 3300V SiC-basierte Opto-MOSFET-Relais

SiC ist ein Halbleiter mit breiter Bandlücke, der Tausende von Spannungen und hohe Temperaturen (über 175 °C) aushalten kann. SiC-Komponenten können effizient bei höheren Frequenzen arbeiten, ohne unnötige Verluste wie IGBT und Si-basierte MOSFET. SiC hat auch einen geringeren Einschaltwiderstand bei höherer Spannung.

SiC ist ein Halbleiter mit breiter Bandlücke, der Tausende von Spannungen und hohe Temperaturen (über 175 °C) aushalten kann. SiC-Komponenten können effizient bei höheren Frequenzen arbeiten, ohne unnötige Verluste wie IGBT und Si-basierte MOSFET. SiC hat auch einen geringeren Einschaltwiderstand bei höherer Spannung.

Bright Toward veröffentlicht 3300V SiC-basierte Opto-MOSFET-Relais

Bright Toward Industrial Co., LTD. glaubt an Siliziumkarbid als die Zukunft der Leistungselektronikkomponenten. Wir haben Opto-SiC-MOSFET-Relais mit 1700V und 1800V veröffentlicht und werden eine weitere Linie von Opto-SiC-MOSFET-Relais mit 3300V und 6600V veröffentlichen. Unsere Opto-SiC-MOSFET-Relais können verschiedene Anwendungen unterstützen, von Elektrofahrzeugen über Hi-Pot-Tests, Konverter, Wechselrichter, medizinische Geräte, Satellitenantriebe und vieles mehr.
 
Bright Toward hat 2017 sein erstes SiC MOSFET-Relais auf den Markt gebracht. Seitdem konnten wir unsere Automobilkunden davon überzeugen, die Si-basierten Relais durch SiC-basierte zu ersetzen. Viele Kunden haben unsere SiC-basierten Produkte validiert und in ihren BMS-Designs angewendet, darunter CATL und Volkswagen.

Autor: Li Tsai
1800V/ 3300V Opto SiC MOSFET-Relais

AA53F ist ein normalerweise offener SPST SiC MOS-Relais mit einem SMD6-5-Gehäuse. AA53F hat eine Lastspannung von 3300V und einen Laststrom von 300mA. AS58F ist eines mit einem SO-16-Gehäuse und einem Kriechweg >8mm.

1800V/ 3300V Opto SiC MOSFET-Relais

SiC ist ein Halbleiter mit breiter Bandlücke, der Tausende von Spannungen und hohe Temperaturen (über 175 °C) aushalten kann. SiC-Komponenten können effizient bei höheren Frequenzen arbeiten, ohne unnötige Verluste wie IGBT und Si-basierte MOSFET. SiC hat auch einen geringeren Einschaltwiderstand bei höherer Spannung.
 
SiC-basierte Komponenten sind im Trend. Derzeit konkurrieren SiC-Komponenten um das Antriebssystem des Elektrofahrzeugmarktes. SiC-Komponenten streben danach, EV-Bordladegeräte und DC-DC-Wandler zu integrieren. Durch den Einsatz von SiC-Komponenten könnte die Reichweite von Elektrofahrzeugen um 5-10% pro Ladung erhöht werden. Daher können Automobilhersteller kleinere, leichtere und kostengünstigere Batterien in ihren Designs verwenden.
 
Neben dem EV-Markt können die Opto SiC-MOSFET-Relais von Bright Toward auch in den Bereichen industrielle und Rechenzentrum-Stromversorgung, Solarwechselrichter, erneuerbare Energieinfrastruktur und industrielle Automatisierungsmärkte von Vorteil sein. Die Reduzierung des CO2-Fußabdrucks ist der Weg für verschiedene Branchen. Um den Bedarf des SiC-Marktes zu decken, plant Bright Toward, mehr zu investieren, um die Produktionskapazität unserer auf SiC basierenden Produkte zu erhöhen.

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B.T - Ein Hersteller von Solid-State-Relais, Reed-Relais und MEMS-Schaltern.

Seit 1988 in Taiwan ansässig, ist Bright Toward Industrial Co., LTD. ein Lieferant und Hersteller von Relais. Zu den Hauptprodukten gehören Opto-MOSFET-Relais, Opto-SiC-MOSFET-Relais, Solid-State-Relais, Reed-Relais und RF-MEMS-Schalter, usw.

B.T liefert seit über drei Jahrzehnten Relais an die Halbleiter- und Automobilindustrie weltweit und pflegt langfristige Partnerschaften mit OKITA Works mit Sitz in Japan, Menlo Microsystems mit Sitz in Kalifornien, JEL Systems mit Sitz in Japan und Teledyne Relays und Coax Switches mit Sitz in Kalifornien. Hauptmärkte sind die Halbleitertestung, ATE, BMS (Battery Management Systems), Industriemaschinen und die Elektrofahrzeugindustrie.

B.T bietet Kunden seit 1988 hochwertige Opto-MOSFET- und Opto-SiC-MOSFET-Relais an, sowohl mit fortschrittlicher Technologie als auch mit 30 Jahren Erfahrung. B.T stellt sicher, dass die Anforderungen jedes Kunden erfüllt werden.