
Bright Towardが3300VのSiCベースのOpto-MOSFETリレーを発売
Bright Toward Industrial Co., LTD.は、シリコンカーバイドを電力電子部品の未来と信じています。 1700Vおよび1800VのOpto SiC-MOSFETリレーをリリースし、3300Vおよび6600VのOpto SiC-MOSFETリレーの新しいラインもリリース予定です。 当社のOpto-SiC MOSFETリレーは、電気自動車からハイポットテスト、コンバータ、インバータ、医療機器、衛星スラスタなど、さまざまなアプリケーションをサポートすることができます。
Bright Towardは2017年に初めてSiC MOSFETリレーを発売しました。その後、自動車顧客にSiベースのリレーをSiCベースのものに置き換えるよう説得しました。CATLやVolkswagonを含む多くの顧客が、弊社のSiCベースの製品を検証し、BMS設計に適用しています。
SiCは、数千ボルトと高温(175℃以上)に耐えることができるワイドバンドギャップ半導体です。SiCコンポーネントは、IGBTやSiベースのMOSFETのような不必要な損失なく、より高い周波数で効率的に動作することができます。また、高電圧時においてもオン状態の抵抗が少ない特徴もあります。
SiCベースのコンポーネントがトレンドです。現在、SiCコンポーネントはEV市場のパワートレインシステムで競合しています。SiCコンポーネントは、EVオンボード充電器やDC-DCコンバーターの設計に取り組んでいます。SiCコンポーネントを適用することで、電気自動車の航続距離を1回の充電で5〜10%増やすことができます。したがって、自動車メーカーはより小型、軽量、低コストのバッテリーを設計に使用することができます。
EV市場に加えて、Bright TowardのOpto SiC-MOSFETリレーは、産業およびデータセンターの電源供給、太陽光発電インバーター、再生可能エネルギーインフラ、産業オートメーション市場にも利益をもたらすことができます。 様々な産業において、炭素排出量の削減が進む方向です。 SiC市場の需要に応えるため、Bright TowardはSiCベースの製品の生産能力を増やすためにさらなる投資を計画しています。
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