1200V/470mA/SMD8-6 ソリッドステートリレー（SiC MOSFET）
AM51F
SMD8-6, 1200V/ 470mA, Opto-MOS Relay (SiC MOSFET)
この1200Vの負荷電圧、470mAの負荷電流、SMD8-6シリコンカーバイドICソリッドステートリレーは、バッテリーマネジメントシステム（BMS）における絶縁検出などの高電圧アプリケーションに対応しています。 シリコンカーバイドMOSFETとLEDを組み合わせたドライバーを使用することで、揮発性の環境下でも高電圧に耐えながら、ほぼ無制限の寿命を持つことができます。 電気自動車産業の高電圧と高耐久性の要件を満たすために、私たちはミニチュアリレーの内部MOSFETにシリコンカーバイドを材料として採用しました。 SMD8-6パッケージを使用することで、クリープ距離が改善され、絶縁性が向上します。 AM51F SiC ICソリッドステートリレーは、ISO9001およびIATF16949の認証を取得した当社工場で設計、製造、テストされています。
機能
- 小型サイズ
- 寸法: 9.8* 6.4* 3.4 mm
- 長寿命 (機械接点なし)
- 静音動作 (機械接点なし)
- 優れた線形性
- 低駆動電流/電圧が必要
- ノイズ最小化
- 高絶縁性
- 高絶縁性
コンタクトフォーム
- 1 Form A
I/O 破壊電圧
- 3750
- 5000
負荷の種類
- AC
- DC
負荷電圧(V)
- 1200
負荷電流(A)
- 0.47
パッケージタイプ
- SMD8-6
オン抵抗(Ω)
- 0.6
アプリケーション
- バッテリー管理システム（BMS）
- 絶縁検出モジュール
- 電気自動車
- 充電ステーション
- 高電圧保護機構
- 自動テスト装置（ATE）
- 産業制御
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1200V/470mA/DIP6-5ソリッドステートリレー（SiC MOSFET）
AA51
このシリコンカーバイドICミニチュア固体リレーは、最大1200Vの負荷電圧と470mAの負荷電流を提供し、オン抵抗は0.6Ωです。...
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1200V/470mA/SMD6-5 ソリッドステートリレー（SiC MOSFET）
AA51F
最大1200Vの負荷電圧と470mAの負荷電流を持つ、シリコンカーバイド製の小型ICソリッドステートリレーは、バッテリーマネジメントシステム（BMS）における絶縁検出などの高電圧アプリケーションに最適です。...
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1200V/470mA DIP8-6ソリッドステートリレー（SiC MOSFET）
AM51
1200Vの負荷電圧を持つコンパクトなDIP8-6パッケージには、シリコンカーバイド製の小型ICソリッドステートリレーがあります。このリレーは、バッテリーマネジメントシステム（BMS）における絶縁検出などの高電圧アプリケーションに使用されます。...
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1200V/470mA/SMD8-6 ソリッドステートリレー（SiC MOSFET）
AM51F
この1200Vの負荷電圧、470mAの負荷電流、SMD8-6シリコンカーバイドICソリッドステートリレーは、バッテリーマネジメントシステム（BMS）における絶縁検出などの高電圧アプリケーションに対応しています。...
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1700V/350mA/DIP6-5 固体リレー (SiC MOSFET)
AA52
このDIP6-5シリコンカーバイドICソリッドステートリレーは、最大1700Vの負荷電圧、350mAの負荷電流に対応しており、バッテリーマネジメントシステム（BMS）における絶縁検出などの高電圧アプリケーションに使用されます。...
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1700V/350mA/SMD6-5 ソリッドステートリレー（SiC MOSFET）
AA52F
TOWARD RELAYSの1700V/350mA、オン抵抗0.6Ω、SMD6-5シリコンカーバイドIC固体リレーは、バッテリーマネジメントシステム（BMS）における絶縁検出などの高電圧アプリケーションに向けて設計されています。シリコンカーバイドMOSFETとLEDをドライバとして組み込むことで、揮発性のある環境で高電圧に耐えながら、ほぼ無制限の寿命を持つことができます。
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3300V/300mA/DIP6-5 ソリッドステートリレー（SiC MOSFET）
AA53
DIP6-5パッケージで最大3300Vの負荷電圧を持つ当社のSiC IC固体リレーは、業界で最も革新的な製品です。...
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3300V/300mA/SMD6-5 ソリッドステートリレー（SiC MOSFET）
AA53F
SMD6-5シリコンカーバイドICソリッドステートリレーは、3300Vの負荷電圧を持ち、300mAの負荷電流を運ぶことができ、業界内で特異な地位を持っています。...
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3300V/300mA/DIP8-6 ソリッドステートリレー（SiC MOSFET）
AM53
最大3300Vの負荷電圧をミニチュアDIP8-6パッケージで扱える当社のシリコンカーバイドIC固体リレーは、業界で最も革新的な製品です。...
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3300V/300mA/SMD8-6 ソリッドステートリレー（SiC MOSFET）
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SMD8-6パッケージで最大3300Vの負荷電圧を持つ当社のシリコンカーバイドIC固体リレーは、業界で最も革新的な製品です。...
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3300V/350mA/SO16 ソリッドステートリレー（SiC MOSFET）
AS53F
当社の350mAシリコンカーバイドICソリッドステートリレーは、高需要のアプリケーションに適した製品で、最大3300Vの負荷電圧をサポートし、8mm以上のクリーピージ距離を確保しています。...
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クリープ距離を改善するためのパッケージユニーク、3000V/500mA、固体状態リレー
AN53
このユニークなパッケージ化された3000V/500mAの小型シリコンカーバイドICソリッドステートリレーは、自動テスト装置（ATE）、バッテリー駆動デバイス、汎用電子テスト機器のクリープ距離を大幅に改善します。...
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