Relai Solid State 1200V/470mA/SMD8-6 (MOSFET SiC)Pemasok | Produsen Relay dan Saklar Berkualitas Tinggi dari Taiwan | Bright Toward Industrial Co., LTD.

Tegangan beban ini pada 1200V, arus beban pada 470mA, SMD8-6 Silicon Carbide IC Solid State Relay dirancang untuk aplikasi tegangan tinggi seperti deteksi isolasi dalam Sistem Manajemen Baterai (BMS). Dengan menggabungkan MOSFET Silicon Carbide dan LED sebagai pengemudi, ia dapat melakukan masa pakai yang hampir tidak terbatas sambil menahan tegangan tinggi dengan lingkungan yang mudah berubah. Untuk memenuhi persyaratan tegangan tinggi dan daya tahan tinggi Industri Kendaraan Listrik, kami menggunakan Silicon Carbide sebagai bahan untuk MOSFET internal dalam relay miniatur kami. Dengan paket SMD8-6, jarak creepage ditingkatkan untuk meningkatkan isolasi. Relai Solid State IC SiC AM51F dirancang, diproduksi, dan diuji di pabrik kami dengan sertifikasi ISO9001 dan IATF16949.B.T adalah produsen Sakelar RF MEMS berkualitas tinggi, Opto-MOS Relay, Opto-MOSFET Relays, Reed Relay, dan Solid State Relay dari Taiwan. Dengan pengalaman lebih dari 30 tahun dalam pembuatan relay, Bright Toward mengkhususkan diri dalam memproduksi berbagai jenis relay sejak tahun 1988.

service@relay.com.tw

Hubungi Kami

Relai Solid State 1200V/470mA/SMD8-6 (MOSFET SiC)

SMD8-6, 1200V/ 470mA, Opto-MOS Relay (SiC MOSFET)/ Bright Toward Industrial Co., LTD. adalah produsen Solid State Relay, Reed Relay, dan MEMS Switches.

Relai Solid State 1200V/470mA/SMD8-6 (MOSFET SiC) - SMD8-6, RELAI SSR 1200V/470mA SPST-NO (1 Form A), MOSFET SiC
  • Relai Solid State 1200V/470mA/SMD8-6 (MOSFET SiC) - SMD8-6, RELAI SSR 1200V/470mA SPST-NO (1 Form A), MOSFET SiC
Relai Solid State 1200V/470mA/SMD8-6 (MOSFET SiC)
AM51F

SMD8-6, 1200V/ 470mA, Opto-MOS Relay (SiC MOSFET)

Tegangan beban ini pada 1200V, arus beban pada 470mA, SMD8-6 Silicon Carbide IC Solid State Relay dirancang untuk aplikasi tegangan tinggi seperti deteksi isolasi dalam Sistem Manajemen Baterai (BMS). Dengan menggabungkan MOSFET Silicon Carbide dan LED sebagai pengemudi, ia dapat melakukan masa pakai yang hampir tidak terbatas sambil menahan tegangan tinggi dengan lingkungan yang mudah berubah. Untuk memenuhi persyaratan tegangan tinggi dan daya tahan tinggi Industri Kendaraan Listrik, kami menggunakan Silicon Carbide sebagai bahan untuk MOSFET internal dalam relay miniatur kami. Dengan paket SMD8-6, jarak creepage ditingkatkan untuk meningkatkan isolasi. Relai Solid State IC SiC AM51F dirancang, diproduksi, dan diuji di pabrik kami dengan sertifikasi ISO9001 dan IATF16949.

Tambahkan ke Daftar
Tanyakan Sekarang
Fitur-fitur
  • Ukuran Miniatur
  • Dimensi: 9,8* 6,4* 3,4 mm
  • Umur Panjang (tanpa kontak mekanis)
  • Operasi Tanpa Suara (tanpa kontak mekanis)
  • Linearitas Kinerja Hebat
  • Membutuhkan Arus/Tegangan Penggerak yang Rendah
  • Meminimalkan Kebisingan
  • Isolasi Tinggi
  • Isolasi Tinggi
Formulir Kontak
  • 1 Form A
Tegangan Breakdown I/O
  • 3750
  • 5000
Jenis Beban
  • AC
  • DC
Tegangan Beban (V)
  • 1200
Arus Beban (A)
  • 0.47
Tipe Kemasan
  • SMD8-6
Resistansi On (Ω)
  • 0.6
Aplikasi
  • Sistem Manajemen Baterai (BMS)
  • Modul Deteksi Insulasi
  • Kendaraan Listrik
  • Stasiun Pengisian
  • Mekanisme Perlindungan Tegangan Tinggi
  • Peralatan Tes Otomatis (ATE)
  • Kendali Industri
Produk Terkait
Relai State Solid 1200V/470mA/DIP6-5 (MOSFET SiC) - DIP6-5, 1200V/ 470mA SSR RELAY SPST-NO (1 Form A), SiC MOSFET
Relai State Solid 1200V/470mA/DIP6-5 (MOSFET SiC)
AA51

Relai Keadaan Padat Miniatur IC Karbida Silikon ini menyediakan tegangan beban hingga 1200V...

Detail Tambahkan ke Daftar
Relai Solid State 1200V/470mA/SMD6-5 (MOSFET SiC) - SMD6-5, RELAI SSR 1200V/470mA SPST-NO (1 Form A), MOSFET SiC
Relai Solid State 1200V/470mA/SMD6-5 (MOSFET SiC)
AA51F

Dengan tegangan beban hingga 1200V dan arus beban hingga 470mA, Solid State Relay IC miniatur...

Detail Tambahkan ke Daftar
Relai State Solid 1200V/470mA DIP8-6 (SiC MOSFET) - DIP8-6, 1200V/ 470mA RELAI SSR SPST-NO (1 Bentuk A), SiC MOSFET
Relai State Solid 1200V/470mA DIP8-6 (SiC MOSFET)
AM51

Dengan tegangan beban pada 1200V dalam paket DIP8-6 yang kompak, Solid State Relay IC miniatur...

Detail Tambahkan ke Daftar
Relai Solid State 1200V/470mA/SMD8-6 (MOSFET SiC) - SMD8-6, RELAI SSR 1200V/470mA SPST-NO (1 Form A), MOSFET SiC
Relai Solid State 1200V/470mA/SMD8-6 (MOSFET SiC)
AM51F

Tegangan beban ini pada 1200V, arus beban pada 470mA, SMD8-6 Silicon Carbide IC Solid State...

Detail Tambahkan ke Daftar
1700V/350mA/DIP6-5 Solid State Relay (SiC MOSFET) - DIP6-5, 1700V/ 350mA SSR RELAY SPST-NO (1 Form A), SiC MOSFET
1700V/350mA/DIP6-5 Solid State Relay (SiC MOSFET)
AA52

Tegangan beban ini mencapai 1700V, arus beban pada 350mA DIP6-5 Silicon Carbide IC Solid State...

Detail Tambahkan ke Daftar
Relai Solid State 1700V/350mA/SMD6-5 (MOSFET SiC) - SMD6-5, RELAI SSR 1700V/350mA SPST-NO (1 Form A), MOSFET SiC
Relai Solid State 1700V/350mA/SMD6-5 (MOSFET SiC)
AA52F

TOWARD RELAYS' 1700V/350mA, resistansi on-resistance 0.6Ω, SMD6-5 Silicon Carbide IC Solid...

Detail Tambahkan ke Daftar
Relai Solid State 3300V/300mA/DIP6-5 (MOSFET SiC) - DIP6-5, RELAI SSR 3300V/300mA SPST-NO (1 Form A), MOSFET SiC
Relai Solid State 3300V/300mA/DIP6-5 (MOSFET SiC)
AA53

Dengan kemampuan membawa tegangan beban hingga 3300V dalam paket DIP6-5, Relai Solid-State...

Detail Tambahkan ke Daftar
Relai Solid State 3300V/300mA/SMD6-5 (SiC MOSFET) - SMD6-5, 3300V/ 300mA RELAI SSR SPST-NO (1 Form A), SiC MOSFET
Relai Solid State 3300V/300mA/SMD6-5 (SiC MOSFET)
AA53F

SMD6-5 Solid State Relays IC Karbida Silikon memiliki tegangan beban sebesar 3300V dan mampu...

Detail Tambahkan ke Daftar
Relai Solid State 3300V/300mA/DIP8-6 (MOSFET SiC) - DIP8-6, RELAI SSR 3300V/300mA SPST-NO (1 Form A), MOSFET SiC
Relai Solid State 3300V/300mA/DIP8-6 (MOSFET SiC)
AM53

Dengan kemampuan untuk membawa tegangan beban hingga 3300V dalam paket DIP8-6 miniatur, Solid-State...

Detail Tambahkan ke Daftar
Relai Solid State 3300V/300mA/SMD8-6 (SiC MOSFET) - SMD8-6, 3300V/ 300mA RELAI SSR SPST-NO (1 Form A), SiC MOSFET
Relai Solid State 3300V/300mA/SMD8-6 (SiC MOSFET)
AM53F

Dengan kemampuan untuk membawa hingga 3300V tegangan beban dalam paket SMD8-6, Solid-State...

Detail Tambahkan ke Daftar
Relai Solid State 3300V/350mA/SO16 (SiC MOSFET) - SO-16, RELAI SSR 3300V/350mA Creepage > 8mm SPST-NO (1 Form A), SiC MOSFET
Relai Solid State 3300V/350mA/SO16 (SiC MOSFET)
AS53F

Relai Solid State IC Karbida Silikon 350mA kami dirancang khusus untuk aplikasi yang membutuhkan...

Detail Tambahkan ke Daftar
Paket unik untuk meningkatkan jarak creepage, RELAY Solid State 3000V/500mA - Paket unik, RELAY SSR 3000V/500mA SPST-NO (1 Form A)
Paket unik untuk meningkatkan jarak creepage, RELAY Solid State 3000V/500mA
AN53

Relai Solid State IC Karbida Silikon miniatur 3000V/500mA yang dikemas dengan unik ini secara...

Detail Tambahkan ke Daftar
Relai Solid State 1800V/30mA (MOSFET SiC), DIP6-5 - DIP6-5, RELAI SSR 1800V/30mA SPST-NO (1 Form A), MOSFET SiC
Relai Solid State 1800V/30mA (MOSFET SiC), DIP6-5
AA58

Ini adalah relay solid-state miniatur keluaran SiC MOSFET yang dapat memuat tegangan hingga...

Detail Tambahkan ke Daftar
Unduh
Lembar Data AM51-1200V/470mA
Lembar Data AM51-1200V/470mA

1 Form A, SiC MOSFET, Paket DIP8-6-9,8mm*6,4mm*3,4mm

Unduh

B.T - Relai Solid State 1200V/470mA/SMD8-6 (MOSFET SiC) Produsen

Berlokasi di Taiwan sejak tahun 1988, Bright Toward Industrial Co., LTD. adalah pemasok dan produsen relay. Produk utama meliputi Opto-MOSFET Relays, Opto-SiC MOSFET Relays, Solid State Relays, Reed Relays, dan RF MEMS Switches.

B.T telah menyediakan relay ke industri semikonduktor dan otomotif selama lebih dari tiga dekade dan memiliki kemitraan jangka panjang dengan OKITA Works yang berbasis di Jepang; Menlo Microsystems yang berbasis di California; JEL Systems yang berbasis di Jepang dan Teledyne Relays dan Coax Switches yang berbasis di California. Kami utamanya melayani industri Pengujian Semikonduktor, ATE, BMS (Battery Management Systems), mesin industri, dan industri Kendaraan Listrik.

B.T telah menawarkan kepada pelanggan relay Opto-MOSFET dan Opto-SiC MOSFET berkualitas tinggi sejak tahun 1988, keduanya dengan teknologi canggih dan pengalaman selama 30 tahun, B.T memastikan setiap permintaan pelanggan terpenuhi.