Bright Toward Lança Relés Opto-MOSFET baseados em SiC de 3300V
Bright Toward Industrial Co., LTD. acredita no Carbeto de Silício como o futuro dos componentes eletrônicos de potência. Lançamos relés Opto SiC-MOSFET de 1700V e 1800V e lançaremos outra linha de relés Opto SiC-MOSFET de 3300V e 6600V. Nossos relés Opto-SiC MOSFET podem suportar várias aplicações, desde veículos elétricos até testes de Hi-pot, conversores, inversores, equipamentos médicos, propulsores de satélite e muito mais.
Bright Toward lançou seu primeiro relé SiC MOSFET em 2017. Depois disso, convencemos nossos clientes automotivos a substituir os relés baseados em Si por relés baseados em SiC. Muitos clientes validaram nossos produtos baseados em SiC e os aplicaram em seus projetos de BMS, incluindo CATL e Volkswagon.
SiC é um semicondutor de banda larga que pode suportar milhares de volts e altas temperaturas (mais de 175C). Componentes de SiC podem funcionar de forma eficiente em frequências mais altas sem perdas desnecessárias, como IGBT e MOSFET baseados em Si. SiC também possui menor resistência em estado ativo em tensões mais altas.
Componentes à base de SiC são a tendência. Atualmente, os componentes de SiC competem pelo sistema de trem de força do mercado de veículos elétricos. O componente de SiC se esforça para projetar carregadores embarcados de VE e conversores DC-DC. A aplicação de componentes de SiC pode ajudar a aumentar a autonomia dos veículos elétricos em 5-10% com uma única carga. Portanto, os fabricantes de automóveis podem usar baterias menores, mais leves e mais baratas em seus projetos.
Além do mercado de veículos elétricos, os relés Opto SiC-MOSFET da Bright Toward podem beneficiar o fornecimento de energia industrial e de centros de dados, inversores solares, infraestrutura de energia renovável e mercados de automação industrial. Reduzir a pegada de carbono é a direção para várias indústrias. Para atender à demanda do mercado de SiC, Bright Toward planeja investir mais para aumentar a capacidade de produção de nossos produtos à base de SiC.
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