
Bright Toward 3300V SiC आधारित ऑप्टो-MOSFET रिले जारी करता है
Bright Toward Industrial Co., LTD. को सिलिकॉन कार्बाइड को बिजली इलेक्ट्रॉनिक के भविष्य के रूप में मान्यता है। हमने 1700V और 1800V ऑप्टो SiC-MOSFET रिले जारी किए हैं और एक और लाइन 3300V और 6600V ऑप्टो SiC-MOSFET रिले जारी करेंगे। हमारे ऑप्टो-सिक मॉस्फेट रिले विभिन्न एप्लिकेशन का समर्थन कर सकते हैं, इलेक्ट्रिक वाहन से हाई-पॉट टेस्टिंग, कनवर्टर, इनवर्टर, मेडिकल उपकरण, सैटेलाइट थ्रस्टर्स और बहुत कुछ।
Bright Toward ने 2017 में अपने पहले SiC MOSFET रिले को जारी किया। इसके बाद, हमने अपने ऑटोमोटिव ग्राहकों को सी-आधारित रिले को SiC-आधारित रिले से बदलने के लिए प्रेरित किया। कई ग्राहकों ने हमारे SiC-आधारित उत्पादों को मान्यता प्राप्त की है और उन्हें अपने BMS डिजाइन में लागू किया है, जिनमें CATL और वोल्क्सवैगन शामिल हैं।
SiC एक व्यापक बैंडगैप सेमीकंडक्टर है जो हजारों वोल्ट और उच्च तापमान (175C से अधिक) को सह सकता है। SiC के घटक उच्च आवृत्तियों पर IGBT और Si-आधारित MOSFET की तरह अनावश्यक हानियों के बिना कार्य कर सकते हैं। SiC उच्च वोल्टेज पर कम ऑन-स्टेट रेसिस्टेंस के साथ भी होता है।
SiC आधारित घटकों की एक प्रवृत्ति है। वर्तमान में, SiC घटकों को ईवी मार्केट के पावरट्रेन सिस्टम के लिए प्रतिस्पर्धा करनी होती है। SiC घटक ईवी ऑनबोर्ड चार्जर्स और डीसी-टू-डीसी कनवर्टर्स में डिजाइन-इन करने का प्रयास करता है। SiC घटकों का उपयोग करने से इलेक्ट्रिक वाहनों की रेंज एक सिंगल चार्ज पर 5-10% तक बढ़ सकती है। इसलिए, ऑटोमोबाइल निर्माताओं को अपने डिजाइन में छोटे, हल्के और कम कीमती बैटरी का उपयोग कर सकते हैं।
इलेक्ट्रिक वाहन (EV) बाजार के अलावा, Bright Toward के ऑप्टो SiC-MOSFET रिले औद्योगिक और डेटा सेंटर पावर सप्लाई, सोलर इनवर्टर, नवीनीकरणीय ऊर्जा बुनियादी ढांचा और औद्योगिक स्वचालन बाजार में लाभदायक हो सकते हैं। विभिन्न उद्योगों के लिए कार्बन प्रभाव को कम करना एक दिशा है। SiC बाजार की मांग को पूरा करने के लिए, Bright Toward की योजना है कि हम अपने SiC आधारित उत्पादों की उत्पादन क्षमता बढ़ाने के लिए अधिक निवेश करें।
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