拓緯推出3300V SiC 碳化矽光耦合MOSFET 继电器
积极鼓吹碳化矽(SiC)材质是功率电子元件产品的未来的拓緯实业(Bright Toward)，继先前推出1,700与1,800伏(V)SiC MOSFET 系列功率元件后，又于日前推出能够支援从电动车到太阳能逆变器等各种设备的新系列产品，进军33000 V 功率元件市场。此外，拓緯还扩大对SiC元件生产进行投资，以满足可预见的市场需求和降低制造成本。
拓緯于2017 年推出首款基于SiC 材质的产品后，就一直在说服客户舍弃原本采用的矽(Si) 基元件，转而改采SiC 元件。拓緯业务副总Alex表示，目前拓緯SiC MOSFET 和其他功率元件客户包括宁德时代(CATL)、现代汽车(Hyundai Motor)、福斯汽车(Volkswagon)等。
1800V/ 3300V Opto SiC MOSFET Relay
AA53F是一款A接点常开且封装为SMD6-5的SPST碳化矽光耦合继电器，耐电压高达3300V、耐电流达300mA。 AS58则是一颗采用爬电距离(Creepage Distance) > 8mm 的SO-16 封装形式的碳化矽光耦合继电器。可负载高达1800伏电压，耐电流30毫安培。
SiC 是一种宽能隙(WBG) 半导体，击穿电压高达数千伏，并且能够承受比矽基MOSFET 更高的温度(摄氏175度或以上)。 SiC 元件在以更高频率和效率运行时，也不会如同标准IGBTs 和MOSFETs 一样出现不必要的损耗。 SiC 在较高电压下也具有较小的导通电阻(on-state resistance)。这会使传导损耗降低、具有更高的电流密度，和散发更多热量。此外，SiC 还具有比一般MOSFETs 和IGBTs 更快的开关切换速度。
SiC 元件的采用会是未来趋势。目前该元件除了在争夺电动车核心的动力传动(powertrain) 装置系统应用市场外，也在争取赢得电动车车载充电器和直流-直流转换器等装置的设计取得。采用SiC元件有助于电动车单次充电续行里程提高5~10%，或是让汽车制造业者能够使用更小、更轻、成本更低的电池。
除电动车外，拓緯新款SiC MOSFET Relay 也有助于将优点带入工业和资料中心电源、太阳能逆变器、再生能源基础设施，和马达驱动器市场中。随着减少碳足迹已成为各产业既定发展方向，为满足预期将会涌现的SiC市场需求，拓緯正计划持续投资来提高自家SiC产品产量。
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1200V/470mA 光耦合继电器(SiC MOSFET), DIP8-6
AM51
采用DIP8-6封装形式的AM51 为碳化矽半导体式小型光耦合继电器。能负载1200伏电压，470毫安培电流，导通电阻为0.6 Ohms....
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1200V/470mA 光耦合继电器(SiC MOSFET), SMD8-6
AM51F
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AA52
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AA52F
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3300V/300mA 光耦合继电器(SiC MOSFET), DIP6-5
AA53
此小型光耦合继电器可负载高达3300伏的电压，耐电流达300mA，为A接点常开型的碳化矽半导体式小型光耦合继电器。使用8.8mm*6.4mm...
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3300V/300mA 光耦合继电器(SiC MOSFET), SMD6-5
AA53F
此小型光耦合继电器可负载高达3300伏电压，耐电流330毫安培，使用SMD6-5封装形式，增加了爬电距离，增大表面绝缘面积，增强耐用度。碳化矽光耦合继电器具备高崩溃电压、高电场强度、亦具备高导热能力，并确保其产品能于-40...
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此小型光耦合继电器可负载高达3300伏的电压，使用SMD6-5的封装形式。碳化矽光耦合继电器具备高崩溃电压、高电场强度、亦具备高导热能力，并确保其产品能于-40...
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此光耦合继电器能负载高达3300伏的电压，耐电流300毫安培，封装于SMD8-6。使用碳化矽做为继电器内部MOSFET材料。内部使用LED驱动碳化矽MOSFET开关，可以一直开关动作直到LED光衰，寿命在正常负载条件使用下长达数十年之久。碳化矽光耦合继电器具备高崩溃电压、高电场强度、亦具备高导热能力，并确保其产品能于-40...
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此产品可负载高达3300伏的电压，耐电流达500mA，为常开型的碳化矽半导体式光耦合继电器。 AN53使用特殊形式封装，除了让脚位能更容易取代磁簧继电器，也大幅提升了绝缘性与耐电流。为了使继电器的负载电压能再提高，并确保于恶劣环境下继电器的运作能不受影响，因此使用了碳化矽做为继电器内部晶片的材料。此继电器适用于逆变器、充电站、电动车的电池管理系统，可耐受湿度和温度的大幅波动。全系列产品在1K无尘室条件下生产，工厂拥有ISO...
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