1700V/350mA 光耦合继电器(SiC MOSFET), SMD6-5
AA52F
SMD6-5, 1700V/ 350mA, Opto-MOS Relay (SiC MOSFET)
能负载高达1700伏的AA52F，是一颗采用8.8mm*6.4mm SMD6-5封装形式的碳化矽半导体式小型光耦合继电器，耐电流为350毫安培，导通电阻为0.06 ohms. 碳化矽光耦合继电器具备高崩溃电压、高电场强度、亦具备高导热能力。采无机械接点设计，内部使用LED驱动SiC MOSFET进行开关，可以一直开关动作直到LED光衰，寿命在正常负载条件下使用下长达数十年之久。除了出色的崩溃电压表现(1700V), 更完全解决了传统机械式继电器接点碳化造成寿命表现不良与电性不稳等问题。
以碳化矽为MOSFET材料的设计，使继电器在温度从-40°C到125°C（或-40°F到257°F）波动下不受影响，也不受湿度与恶劣环境影响。
拓緯的碳化矽光耦合继电器从晶片设计到晶片切割、扩晶、固晶、打线、到封装、测试皆在拓緯拥有ISO9001 与IATF16949车规认证的新竹厂1K等级无尘室中完成。品质管控、供应链管理、成本控制、交期皆是优势。
产品特性
- 小尺寸
- 长宽: 8.8mm*6.4mm
- 高: 3.4mm
- 内部使用碳化矽MOSFET
- 无机械接点造就超长寿命
- 无机械接点造就无声运作
- 线性度表现佳
- 低失真
- 低耗电
- 低杂讯
- 高隔离
- 高绝缘性
接点形式
- 1 Form A
输入/输出间绝缘耐压(V)
- 3750
- 5000
交流/直流
- AC
- DC
耐电压(V)
- 1700
耐电流(A)
- 0.35
封装形式
- SMD6-5
导通电组(Ω)
- 2.2
产品应用
- 电动车电池管里系统(BMS)
- 充电桩
- 绝缘检测、高压检测
- 半导体测试介面板
- 半导体测试机(ATE)
- 工业控制
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1200V/470mA 光耦合继电器(SiC MOSFET),DIP6-5
AA51
拓緯的AA51光耦合继电器采用碳化矽(Silicon Carbide) 做为内部晶片材料，可负载高达1200伏的电压，耐电流为470毫安培，导通电阻为0.6...
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1200V/470mA 光耦合继电器(SiC MOSFET), SMD6-5
AA51F
此光耦合继电器耐电压达1200伏，耐电流为470 毫安培，导通电阻为0.6 Ohms，使用SMD6-5的封装，是一颗高耐压碳化矽半导体式小型光耦合继电器。碳化矽光耦合继电器具备高崩溃电压、高电场强度、亦具备高导热能力，并确保其产品能于-40...
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1200V/470mA 光耦合继电器(SiC MOSFET), DIP8-6
AM51
采用DIP8-6封装形式的AM51 为碳化矽半导体式小型光耦合继电器。能负载1200伏电压，470毫安培电流，导通电阻为0.6...
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1700V/350mA 光耦合继电器(SiC MOSFET), SMD6-5
AA52F
能负载高达1700伏的AA52F，是一颗采用8.8mm*6.4mm SMD6-5封装形式的碳化矽半导体式小型光耦合继电器，耐电流为350毫安培，导通电阻为0.06...
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3300V/300mA 光耦合继电器(SiC MOSFET), DIP6-5
AA53
此小型光耦合继电器可负载高达3300伏的电压，耐电流达300mA，为A接点常开型的碳化矽半导体式小型光耦合继电器。使用8.8mm*6.4mm...
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3300V/300mA 光耦合继电器(SiC MOSFET), SMD6-5
AA53F
此小型光耦合继电器可负载高达3300伏电压，耐电流330毫安培，使用SMD6-5封装形式，增加了爬电距离，增大表面绝缘面积，增强耐用度。碳化矽光耦合继电器具备高崩溃电压、高电场强度、亦具备高导热能力，并确保其产品能于-40...
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3300V/300mA 光耦合继电器(SiC MOSFET), DIP8-6
AM53
此小型光耦合继电器可负载高达3300伏的电压，使用SMD6-5的封装形式。碳化矽光耦合继电器具备高崩溃电压、高电场强度、亦具备高导热能力，并确保其产品能于-40...
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3300V/300mA 光耦合继电器(SiC MOSFET), SMD8-6
AM53F
此光耦合继电器能负载高达3300伏的电压，耐电流300毫安培，封装于SMD8-6。使用碳化矽做为继电器内部MOSFET材料。内部使用LED驱动碳化矽MOSFET开关，可以一直开关动作直到LED光衰，寿命在正常负载条件使用下长达数十年之久。碳化矽光耦合继电器具备高崩溃电压、高电场强度、亦具备高导热能力，并确保其产品能于-40...
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1800V/30mA 光耦合继电器(SiC MOSFET),DIP6-5
AA58
这是一颗可负载1800V电压的半导体式小型光耦合继电器。内部的MOSFET由碳化矽为材料制成，因而大幅增加电压负载能力与耐用度。为了避免机械接点，内部设计使用LED驱动SiC...
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