1700V/350mA 光耦合繼電器(SiC MOSFET), SMD6-5
AA52F
SMD6-5, 1700V/ 350mA, Opto-MOS Relay (SiC MOSFET)
能負載高達1700伏的AA52F，是一顆採用8.8mm*6.4mm SMD6-5封裝形式的碳化矽半導體式小型光耦合繼電器，耐電流為350毫安培，導通電阻為 0.06 ohms. 碳化矽光耦合繼電器具備高崩潰電壓、高電場強度、亦具備高導熱能力。採無機械接點設計，內部使用LED驅動 SiC MOSFET進行開關，可以一直開關動作直到LED光衰，壽命在正常負載條件下使用下長達數十年之久。除了出色的崩潰電壓表現 (1700V), 更完全解決了傳統機械式繼電器接點碳化造成壽命表現不良與電性不穩等問題。
以碳化矽為MOSFET材料的設計，使繼電器在溫度從-40°C到125°C（或-40°F到257°F）波動下不受影響，也不受濕度與惡劣環境影響。
拓緯的碳化矽光耦合繼電器從晶片設計到晶片切割、擴晶、固晶、打線、到封裝、測試皆在拓緯擁有 ISO9001 與 IATF16949車規認證的新竹廠1K等級無塵室中完成。品質管控、供應鏈管理、成本控制、交期皆是優勢。
產品特性
- 小尺寸
- 長寬: 8.8mm*6.4mm
- 高: 3.4mm
- 內部使用碳化矽MOSFET
- 無機械接點造就超長壽命
- 無機械接點造就無聲運作
- 線性度表現佳
- 低失真
- 低耗電
- 低雜訊
- 高隔離
- 高絕緣性
接點形式
- 1 Form A
輸入/輸出間絕緣耐壓 (V)
- 3750
- 5000
交流/直流
- AC
- DC
耐電壓 (V)
- 1700
耐電流 (A)
- 0.35
封裝形式
- SMD6-5
導通電組 (Ω)
- 2.2
產品應用
- 電動車電池管裡系統 (BMS)
- 充電樁
- 絕緣檢測、高壓檢測
- 半導體測試介面板
- 半導體測試機 (ATE)
- 工業控制
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1200V/470mA 光耦合繼電器(SiC MOSFET),DIP6-5
AA51
拓緯的AA51光耦合繼電器採用碳化矽 (Silicon Carbide) 做為內部晶片材料，可負載高達1200伏的電壓，耐電流為470毫安培，導通電阻為...
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1200V/470mA 光耦合繼電器(SiC MOSFET), SMD6-5
AA51F
此光耦合繼電器耐電壓達1200伏，耐電流為 470 毫安培，導通電阻為 0.6 Ohms，使用SMD6-5的封裝，是一顆高耐壓碳化矽半導體式小型光耦合繼電器。碳化矽光耦合繼電器具備高崩潰電壓、高電場強度、亦具備高導熱能力，並確保其產品能於-40...
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1200V/470mA 光耦合繼電器(SiC MOSFET), DIP8-6
AM51
採用DIP8-6封裝形式的AM51 為碳化矽半導體式小型光耦合繼電器。能負載1200伏電壓，470毫安培電流，導通電阻為...
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1700V/350mA 光耦合繼電器(SiC MOSFET), SMD6-5
AA52F
能負載高達1700伏的AA52F，是一顆採用8.8mm*6.4mm SMD6-5封裝形式的碳化矽半導體式小型光耦合繼電器，耐電流為350毫安培，導通電阻為...
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3300V/300mA 光耦合繼電器(SiC MOSFET), DIP6-5
AA53
此小型光耦合繼電器可負載高達3300伏的電壓，耐電流達300mA，為A接點常開型的碳化矽半導體式小型光耦合繼電器。使用8.8mm*6.4mm...
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3300V/300mA 光耦合繼電器(SiC MOSFET), SMD6-5
AA53F
此小型光耦合繼電器可負載高達3300伏電壓，耐電流330毫安培，使用SMD6-5封裝形式，增加了爬電距離，增大表面絕緣面積，增強耐用度。碳化矽光耦合繼電器具備高崩潰電壓、高電場強度、亦具備高導熱能力，並確保其產品能於-40...
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3300V/300mA 光耦合繼電器(SiC MOSFET), DIP8-6
AM53
此小型光耦合繼電器可負載高達3300伏的電壓，使用SMD6-5的封裝形式。碳化矽光耦合繼電器具備高崩潰電壓、高電場強度、亦具備高導熱能力，並確保其產品能於-40...
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3300V/300mA 光耦合繼電器(SiC MOSFET), SMD8-6
AM53F
此光耦合繼電器能負載高達3300伏的電壓，耐電流300毫安培，封裝於SMD8-6。使用碳化矽做為繼電器內部MOSFET材料。內部使用LED驅動碳化矽MOSFET開關，可以一直開關動作直到LED光衰，壽命在正常負載條件使用下長達數十年之久。碳化矽光耦合繼電器具備高崩潰電壓、高電場強度、亦具備高導熱能力，並確保其產品能於-40...
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採特殊封裝以增加爬電距離, 3000V/500mA 光耦合繼電器
AN53
此產品可負載高達3300伏的電壓，耐電流達500mA，為常開型的碳化矽半導體式光耦合繼電器。AN53使用特殊形式封裝，除了讓腳位能更容易取代磁簧繼電器，也大幅提升了絕緣性與耐電流。為了使繼電器的負載電壓能再提高，並確保於惡劣環境下繼電器的運作能不受影響，因此使用了碳化矽做為繼電器內部晶片的材料。此繼電器適用於逆變器、充電站、電動車的電池管理系統，可耐受濕度和溫度的大幅波動。全系列產品在1K無塵室條件下生產，工廠擁有...
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1800V/30mA 光耦合繼電器(SiC MOSFET),DIP6-5
AA58
這是一顆可負載 1800V電壓的半導體式小型光耦合繼電器。內部的MOSFET由碳化矽為材料製成，因而大幅增加電壓負載能力與耐用度。為了避免機械接點，內部設計使用LED驅動...
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