使用碳化矽晶片的光耦合繼電器承載電壓範圍從1500伏特可達至少3300伏特。
SiC光耦合繼電器 (1500V 到 6600V)
在看到電動車電池總電壓越來越高的市場趨勢後，拓緯成功開發出了使用碳化矽作為晶片材料的光耦合繼電器， 耐電壓選擇從 1800V 到 3300V，並計劃在 2022 年底發佈耐電壓為 6600V 的光耦合繼電器。大量使用於電池管理系統 (BMS) 內絕緣檢測模組，以及其他高壓測試需求。
| 圖片 | 產品名稱 | 接點形式 | 耐電壓 (V) | 耐電流 (A) | 文件下載 | 設定 |
|---|---|---|---|---|---|---|
AA51
| 1200V/470mA 光耦合繼電器(SiC MOSFET),DIP6-5 | 1 Form A | 1200 | 0.47 |
| |
AA51F
| 1200V/470mA 光耦合繼電器(SiC MOSFET), SMD6-5 | 1 Form A | 1200 | 0.47 |
| |
AM51
| 1200V/470mA 光耦合繼電器(SiC MOSFET), DIP8-6 | 1 Form A | 1200 | 0.47 |
| |
AM51F
| 1200V/470mA 光耦合繼電器(SiC MOSFET), SMD8-6 | 1 Form A | 1200 | 0.47 |
| |
AA52
| 1700V/350mA 光耦合繼電器(SiC MOSFET), DIP6-5 | 1 Form A | 1700 | 0.35 |
| |
AA52F
| 1700V/350mA 光耦合繼電器(SiC MOSFET), SMD6-5 | 1 Form A | 1700 | 0.35 |
| |
AA53
| 3300V/300mA 光耦合繼電器(SiC MOSFET), DIP6-5 | 1 Form A | 3300 | 0.3 |
| |
AA53F
| 3300V/300mA 光耦合繼電器(SiC MOSFET), SMD6-5 | 1 Form A | 3300 | 0.3 |
| |
AM53
| 3300V/300mA 光耦合繼電器(SiC MOSFET), DIP8-6 | 1 Form A | 3300 | 0.3 |
| |
AM53F
| 3300V/300mA 光耦合繼電器(SiC MOSFET), SMD8-6 | 1 Form A | 3300 | 0.3 |
| |
AS53F
| 3300V/350mA 光耦合繼電器(SiC MOSFET),SO-16; Creepage > 8mm | 1 Form A | 3300 | 0.35 |
| |
AN53
| 採特殊封裝以增加爬電距離, 3000V/500mA 光耦合繼電器 | 1 Form A | 3000 | 0.5 |
|