使用碳化矽晶片的光耦合繼電器承載電壓範圍從1500伏特可達至少3300伏特。
SiC光耦合繼電器 (1500V 到 6600V)
在看到電動車電池總電壓越來越高的市場趨勢後，拓緯成功開發出了使用碳化矽作為晶片材料的光耦合繼電器， 耐電壓選擇從 1800V 到 3300V，並計劃在 2022 年底發佈耐電壓為 6600V 的光耦合繼電器。大量使用於電池管理系統 (BMS) 內絕緣檢測模組，以及其他高壓測試需求。
| 圖片 | 產品名稱 | 接點形式 | 耐電壓 (V) | 耐電流 (A) | 文件下載 | 設定 |
|---|---|---|---|---|---|---|
AA51
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1200V/470mA 光耦合繼電器(SiC MOSFET),DIP6-5 |
1 Form A |
1200 |
0.47 |
|
|
AA51F
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1200V/470mA 光耦合繼電器(SiC MOSFET), SMD6-5 |
1 Form A |
1200 |
0.47 |
|
|
AM51
|
1200V/470mA 光耦合繼電器(SiC MOSFET), DIP8-6 |
1 Form A |
1200 |
0.47 |
|
|
AM51F
|
1200V/470mA 光耦合繼電器(SiC MOSFET), SMD8-6 |
1 Form A |
1200 |
0.47 |
|
|
AA52
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1700V/350mA 光耦合繼電器(SiC MOSFET), DIP6-5 |
1 Form A |
1700 |
0.35 |
|
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AA52F
|
1700V/350mA 光耦合繼電器(SiC MOSFET), SMD6-5 |
1 Form A |
1700 |
0.35 |
|
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AA53
|
3300V/300mA 光耦合繼電器(SiC MOSFET), DIP6-5 |
1 Form A |
3300 |
0.3 |
|
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AA53F
|
3300V/300mA 光耦合繼電器(SiC MOSFET), SMD6-5 |
1 Form A |
3300 |
0.3 |
|
|
AM53
|
3300V/300mA 光耦合繼電器(SiC MOSFET), DIP8-6 |
1 Form A |
3300 |
0.3 |
|
|
AM53F
|
3300V/300mA 光耦合繼電器(SiC MOSFET), SMD8-6 |
1 Form A |
3300 |
0.3 |
|
|
AS53F
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3300V/350mA 光耦合繼電器(SiC MOSFET),SO-16; Creepage > 8mm |
1 Form A |
3300 |
0.35 |
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AN53
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採特殊封裝以增加爬電距離, 3000V/500mA 光耦合繼電器 |
1 Form A |
3000 |
0.5 |
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