SiC MOSFET 릴레이 (1500V에서 6600V까지)
실리콘 카바이드 MOSFET을 광결합 릴레이에 적용함으로써, 부하 전압을 최대 3300V까지 상승시킬 수 있으며, 6600V로 개발 중입니다. 입력/출력 붕괴 전압은 3750V 및 5000V의 선택지 중에서 선택할 수 있습니다. 이러한 고부하 전압 옵토 SiC-MOSFET 릴레이는 AEC-Q101 인증을 받았으며, Bright Toward의 공장 1K 등급 청정실에서 생산됩니다.
영상 | name | 연락처 양식 | 부하 전압 (V) | 부하 전류 (A) | 다운로드 | 행동 |
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1200V/470mA/DIP6-5 고체 상태 릴레이 (SiC MOSFET) |
1 Form A |
1200 |
0.47 |
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|
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1200V/470mA/SMD6-5 솔리드 스테이트 릴레이 (SiC MOSFET) |
1 Form A |
1200 |
0.47 |
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|
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1200V/470mA DIP8-6 고체 상태 릴레이 (SiC MOSFET) |
1 Form A |
1200 |
0.47 |
![]() |
|
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1200V/470mA/SMD8-6 솔리드 스테이트 릴레이 (SiC MOSFET) |
1 Form A |
1200 |
0.47 |
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|
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1700V/350mA/DIP6-5 고체 상태 릴레이 (SiC MOSFET) |
1 Form A |
1700 |
0.35 |
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|
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1700V/350mA/SMD6-5 솔리드 스테이트 릴레이 (SiC MOSFET) |
1 Form A |
1700 |
0.35 |
![]() |
|
![]() |
3300V/300mA/DIP6-5 솔리드 스테이트 릴레이 (SiC MOSFET) |
1 Form A |
3300 |
0.3 |
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|
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3300V/300mA/SMD6-5 고체 상태 릴레이 (SiC MOSFET) |
1 Form A |
3300 |
0.3 |
![]() |
|
![]() |
3300V/300mA/DIP8-6 고체 상태 릴레이 (SiC MOSFET) |
1 Form A |
3300 |
0.3 |
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3300V/300mA/SMD8-6 솔리드 스테이트 릴레이 (SiC MOSFET) |
1 Form A |
3300 |
0.3 |
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크리피지 거리 향상을 위한 고유 패키지, 3000V/500mA, 고체 상태 릴레이 |
1 Form A |
3000 |
0.5 |
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3300V/350mA/SO16 고체 상태 릴레이 (SiC MOSFET) |
1 Form A |
3300 |
0.35 |
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