使用碳化矽晶片的光耦合继电器承载电压范围从1500伏特可达至少3300伏特。
SiC光耦合继电器(1500V 到6600V)
在看到电动车电池总电压越来越高的市场趋势后，拓緯成功开发出了使用碳化矽作为晶片材料的光耦合继电器， 耐电压选择从1800V 到3300V，并计划在2022 年底发布耐电压为6600V 的光耦合继电器。大量使用于电池管理系统(BMS) 内绝缘检测模组，以及其他高压测试需求。
| 图片 | 产品名称 | 接点形式 | 耐电压(V) | 耐电流(A) | 文件下载 | 设定 |
|---|---|---|---|---|---|---|
AA51
| 1200V/470mA 光耦合继电器(SiC MOSFET),DIP6-5 | 1 Form A | 1200 | 0.47 |
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AA51F
| 1200V/470mA 光耦合继电器(SiC MOSFET), SMD6-5 | 1 Form A | 1200 | 0.47 |
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AM51
| 1200V/470mA 光耦合继电器(SiC MOSFET), DIP8-6 | 1 Form A | 1200 | 0.47 |
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AM51F
| 1200V/470mA 光耦合继电器(SiC MOSFET), SMD8-6 | 1 Form A | 1200 | 0.47 |
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AA52
| 1700V/350mA 光耦合继电器(SiC MOSFET), DIP6-5 | 1 Form A | 1700 | 0.35 |
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AA52F
| 1700V/350mA 光耦合继电器(SiC MOSFET), SMD6-5 | 1 Form A | 1700 | 0.35 |
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AA53
| 3300V/300mA 光耦合继电器(SiC MOSFET), DIP6-5 | 1 Form A | 3300 | 0.3 |
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AA53F
| 3300V/300mA 光耦合继电器(SiC MOSFET), SMD6-5 | 1 Form A | 3300 | 0.3 |
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AM53
| 3300V/300mA 光耦合继电器(SiC MOSFET), DIP8-6 | 1 Form A | 3300 | 0.3 |
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AM53F
| 3300V/300mA 光耦合继电器(SiC MOSFET), SMD8-6 | 1 Form A | 3300 | 0.3 |
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AS53F
| 3300V/350mA 光耦合继电器(SiC MOSFET),SO-16; Creepage > 8mm | 1 Form A | 3300 | 0.35 |
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AN53
| 采特殊封装以增加爬电距离, 3000V/500mA 光耦合继电器 | 1 Form A | 3000 | 0.5 |
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