3300V/350mA 光耦合继电器(SiC MOSFET),SO-16; Creepage > 8mm
AS53F
SO-16, 3300V/350mA, Opto-MOS Relay (SiC MOSFET) Creepage > 8mm
这是一颗半导体式小型光耦合继电器。可负载高达3300伏电压，耐电流350毫安培，采爬电距离(Creepage Distance) > 8mm 的SO-16 封装形式，使用碳化矽做为MOSFET晶片材料。可承受湿度和温度大幅波动，在恶劣环境下正常运作。
此碳化矽光耦合继电器具备高崩溃电压(1800V)、高电场强度、亦具备高导热能力，并确保其产品能于-40 °C to 125 °C ( -40°F to 257°F)以及各种恶劣环境下正常运作。
内部由LED 驱动SiC MOSFET 进行开关，以光信号为媒介来实现电信号的耦合与传递，输入与输出具有更好的隔离度与抗干扰。
结合微型尺寸设计、高绝缘性、高崩溃电压、良好散热等特性，碳化矽光耦合继电器适用于电池管理系统绝缘检测线路(BMS Insulation Detection Circuit) 应用。当电池模组内绝缘劣化时，会有接地故障电流通过光耦合继电器，因而启动保护机制。因为电池模组的总电压很高，拓緯的碳化矽光耦合继电器高电压特性能满足绝缘检测线路需求。
拓緯的碳化矽光耦合继电器从晶片设计到晶片切割、扩晶、固晶、打线、到封装、测试皆在拓緯拥有ISO9001 与IATF16949车规认证的新竹厂1K等级无尘室中完成。品质管控、供应链管理、成本控制、交期皆是优势。
产品特性
- 爬电距离> 8mm
- 内部使用碳化矽MOSFET
- 无机械接点造就超长寿命
- 无机械接点造就无声运作
- 线性度表现佳
- 低失真
- 低耗电
- 低杂讯
- 高隔离
- 高绝缘性
接点形式
- 1 Form A
输入/输出间绝缘耐压(V)
- 5000
交流/直流
- AC
- DC
耐电压(V)
- 3300
耐电流(A)
- 0.35
封装形式
- SO-16
导通电组(Ω)
- 3.4
产品应用
- 电动车电池管里系统(BMS)
- 充电桩
- 绝缘检测、高压检测
- 半导体测试介面板
- 半导体测试机(ATE)
- 工业控制
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3300V/300mA 光耦合继电器(SiC MOSFET), DIP8-6
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此小型光耦合继电器可负载高达3300伏的电压，使用SMD6-5的封装形式。碳化矽光耦合继电器具备高崩溃电压、高电场强度、亦具备高导热能力，并确保其产品能于-40...
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3300V/300mA 光耦合继电器(SiC MOSFET), SMD8-6
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