1200V/470mA 光耦合继电器(SiC MOSFET), DIP8-6
AM51
DIP8-6, 1200V/ 470mA, Opto-MOS Relay (SiC MOSFET)
采用DIP8-6封装形式的AM51 为碳化矽半导体式小型光耦合继电器。能负载1200伏电压，470毫安培电流，导通电阻为0.6 Ohms. 碳化矽光耦合继电器具备高崩溃电压、高电场强度、亦具备高导热能力，并确保其产品能于-40 °C to 125 ° C ( -40°F to 257°F)以及各种恶劣环境下正常运作。
拓緯的碳化矽光耦合继电器从晶片设计到晶片切割、扩晶、固晶、打线、到封装、测试皆在拓緯拥有ISO9001 与IATF16949车规认证的新竹厂1K等级无尘室中完成。品质管控、供应链管理、成本控制、交期皆是优势。
产品特性
- 小尺寸
- 长宽: 8.8mm*6.4mm
- 高: 3.4mm
- 内部使用碳化矽MOSFET
- 无机械接点造就超长寿命
- 无机械接点造就无声运作
- 线性度表现佳
- 低失真
- 低耗电
- 低杂讯
- 高隔离
- 高绝缘性
接点形式
- 1 Form A
输入/输出间绝缘耐压(V)
- 3750
- 5000
交流/直流
- AC
- DC
耐电压(V)
- 1200
耐电流(A)
- 0.47
封装形式
- DIP8-6
导通电组(Ω)
- 0.6
产品应用
- 电动车电池管里系统(BMS)
- 充电桩
- 绝缘检测、高压检测
- 半导体测试介面板
- 半导体测试机(ATE)
- 工业控制
- 关联产品
1200V/470mA 光耦合继电器(SiC MOSFET),DIP6-5
AA51
拓緯的AA51光耦合继电器采用碳化矽(Silicon Carbide) 做为内部晶片材料，可负载高达1200伏的电压，耐电流为470毫安培，导通电阻为0.6...
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1200V/470mA 光耦合继电器(SiC MOSFET), SMD6-5
AA51F
此光耦合继电器耐电压达1200伏，耐电流为470 毫安培，导通电阻为0.6 Ohms，使用SMD6-5的封装，是一颗高耐压碳化矽半导体式小型光耦合继电器。碳化矽光耦合继电器具备高崩溃电压、高电场强度、亦具备高导热能力，并确保其产品能于-40...
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1200V/470mA 光耦合继电器(SiC MOSFET), DIP8-6
AM51
采用DIP8-6封装形式的AM51 为碳化矽半导体式小型光耦合继电器。能负载1200伏电压，470毫安培电流，导通电阻为0.6...
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1700V/350mA 光耦合继电器(SiC MOSFET), SMD6-5
AA52F
能负载高达1700伏的AA52F，是一颗采用8.8mm*6.4mm SMD6-5封装形式的碳化矽半导体式小型光耦合继电器，耐电流为350毫安培，导通电阻为0.06...
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3300V/300mA 光耦合继电器(SiC MOSFET), DIP6-5
AA53
此小型光耦合继电器可负载高达3300伏的电压，耐电流达300mA，为A接点常开型的碳化矽半导体式小型光耦合继电器。使用8.8mm*6.4mm...
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3300V/300mA 光耦合继电器(SiC MOSFET), SMD6-5
AA53F
此小型光耦合继电器可负载高达3300伏电压，耐电流330毫安培，使用SMD6-5封装形式，增加了爬电距离，增大表面绝缘面积，增强耐用度。碳化矽光耦合继电器具备高崩溃电压、高电场强度、亦具备高导热能力，并确保其产品能于-40...
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3300V/300mA 光耦合继电器(SiC MOSFET), DIP8-6
AM53
此小型光耦合继电器可负载高达3300伏的电压，使用SMD6-5的封装形式。碳化矽光耦合继电器具备高崩溃电压、高电场强度、亦具备高导热能力，并确保其产品能于-40...
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3300V/300mA 光耦合继电器(SiC MOSFET), SMD8-6
AM53F
此光耦合继电器能负载高达3300伏的电压，耐电流300毫安培，封装于SMD8-6。使用碳化矽做为继电器内部MOSFET材料。内部使用LED驱动碳化矽MOSFET开关，可以一直开关动作直到LED光衰，寿命在正常负载条件使用下长达数十年之久。碳化矽光耦合继电器具备高崩溃电压、高电场强度、亦具备高导热能力，并确保其产品能于-40...
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1800V/30mA 光耦合继电器(SiC MOSFET),DIP6-5
AA58
这是一颗可负载1800V电压的半导体式小型光耦合继电器。内部的MOSFET由碳化矽为材料制成，因而大幅增加电压负载能力与耐用度。为了避免机械接点，内部设计使用LED驱动SiC...
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