1200V/470mA DIP8-6 Твердотельное реле (SiC MOSFET)
AM51
DIP8-6, 1200V/ 470mA, Opto-MOS Relay (SiC MOSFET)
С номинальным напряжением нагрузки 1200 В в компактном корпусе DIP8-6, кремниевый карбидный миниатюрный твердотельный реле предназначено для применения в высоковольтных системах, таких как обнаружение изоляции в системах управления аккумуляторами (BMS). Для удовлетворения высоковольтных и высокодолговечных требований отрасли электромобилей мы применили карбид кремния в качестве материала для внутренних МОП-транзисторов в наших миниатюрных реле; это позволяет использовать их в суровых условиях. Бесконтактный дизайн также позволяет практически неограниченный срок службы. С помощью корпуса DIP8-6, расстояние пробивания улучшается для усиления изоляции. AM51 SiC IC твердотельное реле разработано, изготовлено и протестировано в нашей фабрике с сертификатами ISO9001 и IATF16949.
Функции
- Миниатюрный размер
- Размеры: 9,8* 6,4* 3,4 мм
- Длительный срок службы (без механических контактов)
- Бесшумная работа (без механических контактов)
- Отличная линейность производительности
- Требуется низкий ток/напряжение управления
- Минимизированный шум
- Высокая изоляция
- Высокая изоляция
Контактная форма
- 1 Form A
Напряжение пробоя I/O
- 3750
- 5000
Тип нагрузки
- AC
- DC
Напряжение нагрузки (V)
- 1200
Нагрузочный ток (A)
- 0.47
Тип корпуса
- DIP8-6
Сопротивление включения (Ω)
- 0.6
Приложение
- Система управления батареей (BMS)
- Модули обнаружения изоляции
- Электромобиль
- Зарядные станции
- Механизм защиты от высокого напряжения
- Автоматическое испытательное оборудование (ATE)
- Промышленное управление
- Связанные продукты
1200V/470mA/DIP6-5 Твердотельное реле (SiC MOSFET)
AA51
Этот миниатюрный твердотельный реле на кремниевом...
Подробности Добавить в список
1200V/470mA/SMD6-5 Твердотельное реле (SiC MOSFET)
AA51F
С номинальным напряжением нагрузки до 1200 В и током...
Подробности Добавить в список
1200V/470mA DIP8-6 Твердотельное реле (SiC MOSFET)
AM51
С номинальным напряжением нагрузки 1200 В в компактном...
Подробности Добавить в список
1200V/470mA/SMD8-6 Твердотельное реле (SiC MOSFET)
AM51F
Этот силовой напряжение составляет 1200 В, ток нагрузки...
Подробности Добавить в список
1700В/350мА/DIP6-5 твердотельное реле (SiC MOSFET)
AA52
Этот твердотельный реле на кремниевом карбиде DIP6-5...
Подробности Добавить в список
1700V/350mA/SMD6-5 Твердотельное реле (SiC MOSFET)
AA52F
РЕЛЕ TOWARD 1700V/350mA, с сопротивлением 0,6Ω, SMD6-5 твердотельное...
Подробности Добавить в список
3300V/300mA/DIP6-5 Твердотельное реле (SiC MOSFET)
AA53
С возможностью переносить до 3300V напряжения нагрузки...
Подробности Добавить в список
3300V/300mA/SMD6-5 Твердотельное реле (SiC MOSFET)
AA53F
Твердотельные реле SMD6-5 на кремниевом карбиде IC имеют...
Подробности Добавить в список
3300V/300mA/DIP8-6 Твердотельное реле (SiC MOSFET)
AM53
С возможностью переносить до 3300V напряжения нагрузки...
Подробности Добавить в список
3300V/300mA/SMD8-6 Твердотельное реле (SiC MOSFET)
AM53F
С возможностью переносить до 3300 В напряжения нагрузки...
Подробности Добавить в список
3300V/350mA/SO16 Твердотельное реле (SiC MOSFET)
AS53F
Наш 350 мА твердотельный реле на основе карбида кремния...
Подробности Добавить в список
Уникальный пакет для увеличения пробивного расстояния, 3000V/500mA, твердотельное реле
AN53
Этот уникально упакованный твердотельный реле на...
Подробности Добавить в список
1800V/30mA Твердотельное реле (SiC MOSFET), DIP6-5
AA58
Это SiC MOSFET выходной миниатюрный твердотельный реле,...
Подробности Добавить в список- Скачать
