Ключ к электромобилям с большим запасом хода: Реле Opto-SiC MOSFET, применяемые в системе управления аккумулятором
Система управления аккумулятором - это важная технология, управляющая всеми аккумуляторными блоками, установленными в электромобилях. Эти аккумуляторные батареи состоят из множества аккумуляторных ячеек. Управление, которое обеспечивает BMS, включает изоляционный монитор и обнаружение, отчет о рабочем состоянии и непрерывную оптимизацию производительности аккумулятора путем балансировки оставшейся мощности каждой ячейки. Опто-МОСФЕТ реле (также известные как твердотельные реле) могут быть применены ко всем трем функциям. В этой статье будет рассмотрена новая оптическая SiC MOSFET реле Bright Toward и их роль в обнаружении изоляции BMS.
Что такое система управления батареей (BMS)?
Схема подключения для обнаружения изоляции в системе управления батареей (BMS)
Если изоляция в любой батарейной ячейке ухудшается, через наш реле проходит ток замыкания на землю, выдавая сигнал тревоги.
Что такое изоляционный монитор/детектор?
Функция мониторинга/обнаружения изоляции в СУБ обеспечивает здоровье изоляции аккумулятора и предотвращает утечку. Это работает так: если изоляция в любой ячейке аккумулятора ухудшается, через наш реле проходит заземляющий ток, выдавая сигнал тревоги. Реле должно выдерживать напряжение, превышающее номинальное напряжение аккумуляторной батареи, обычно с буфером. Например, аккумуляторная батарея с номинальным напряжением 800 В обычно требует реле с напряжением нагрузки больше 1600 В.
Почему возрастает потребность в высоковольтных твердотельных реле нагрузки в системах управления аккумуляторами?
Ранние электромобили страдали от низкого запаса хода и медленного времени зарядки. Чтобы увеличить запас хода электромобиля и улучшить скорость зарядки, производители аккумуляторов должны увеличить общее напряжение и токовую нагрузку. Поэтому реле, оцененные на более высокие напряжения, должны обеспечивать правильную работу функции изоляционного мониторинга. Bright Toward поставляет свою продукцию крупным автомобильным производителям аккумуляторов по всему миру; мы видим растущий спрос на реле твердотельного типа с более высоким напряжением нагрузки. Физический предел реле на основе кремния составляет около 1500 В; поэтому мы начали разработку реле на основе карбида кремния в 2016 году, чтобы улучшить напряжение нагрузки еще больше. Мы успешно представили линейку продуктов в 2018 году. Крупные автомобильные компании проверили наши реле на основе SiC Opto-MOSFET в следующие несколько лет. К 2022 году ежемесячное производство реле Opto-SiC MOSFET превысило 4 000 000 штук.
До сих пор крупные автомобильные компании подтвердили нашу 1800V Opto-SiC MOSFET реле (AA58, AS58) с продолжающимся массовым производством. Наши реле Opto-SiC MOSFET 3300V (AA53, AS53) также готовы к производству, и проводится проверка. Наши реле Opto-SiC MOSFET 6600V находятся в процессе квалификации, готовы инженерные образцы. Bright Toward готово к будущему и с удовольствием станет частью вашего дизайна.
- Связанные продукты
1200V/470mA/DIP6-5 Твердотельное реле (SiC MOSFET)
AA51
Этот миниатюрный твердотельный реле на кремниевом карбиде обеспечивает напряжение...
Подробности Добавить в корзину
1200V/470mA/SMD6-5 Твердотельное реле (SiC MOSFET)
AA51F
С номинальным напряжением нагрузки до 1200 В и током нагрузки до 470 мА, наш миниатюрный...
Подробности Добавить в корзину
1200V/470mA DIP8-6 Твердотельное реле (SiC MOSFET)
AM51
С номинальным напряжением нагрузки 1200 В в компактном корпусе DIP8-6, кремниевый карбидный...
Подробности Добавить в корзину
1200V/470mA/SMD8-6 Твердотельное реле (SiC MOSFET)
AM51F
Этот силовой напряжение составляет 1200 В, ток нагрузки - 470 мА. Кремниевый карбидный...
Подробности Добавить в корзину
1700В/350мА/DIP6-5 твердотельное реле (SiC MOSFET)
AA52
Этот твердотельный реле на кремниевом карбиде DIP6-5 с нагрузочным напряжением до 1700...
Подробности Добавить в корзину
1700V/350mA/SMD6-5 Твердотельное реле (SiC MOSFET)
AA52F
РЕЛЕ TOWARD 1700V/350mA, с сопротивлением 0,6Ω, SMD6-5 твердотельное реле на кремниевом карбиде...
Подробности Добавить в корзину
3300V/300mA/DIP6-5 Твердотельное реле (SiC MOSFET)
AA53
С возможностью переносить до 3300V напряжения нагрузки в корпусе DIP6-5, наши твердотельные...
Подробности Добавить в корзину
3300V/300mA/SMD6-5 Твердотельное реле (SiC MOSFET)
AA53F
Твердотельные реле SMD6-5 на кремниевом карбиде IC имеют номинальное напряжение нагрузки...
Подробности Добавить в корзину
3300V/300mA/DIP8-6 Твердотельное реле (SiC MOSFET)
AM53
С возможностью переносить до 3300V напряжения нагрузки в миниатюрном корпусе DIP8-6, наши...
Подробности Добавить в корзину
3300V/300mA/SMD8-6 Твердотельное реле (SiC MOSFET)
AM53F
С возможностью переносить до 3300 В напряжения нагрузки в корпусе SMD8-6, наши твердотельные...
Подробности Добавить в корзину
Уникальный пакет для увеличения пробивного расстояния, 3000V/500mA, твердотельное реле
AN53
Этот уникально упакованный твердотельный реле на кремниевом карбиде с напряжением...
Подробности Добавить в корзину
1800V/30mA Твердотельное реле (SiC MOSFET), DIP6-5
AA58
Это SiC MOSFET выходной миниатюрный твердотельный реле, который выдерживает напряжение...
Подробности Добавить в корзину