3300V/300mA/SMD8-6 Твердотельное реле (SiC MOSFET)Поставщик | Производитель высококачественных реле и переключателей из Тайваня | Bright Toward Industrial Co., LTD.

С возможностью переносить до 3300 В напряжения нагрузки в корпусе SMD8-6, наши твердотельные реле на основе карбида кремния являются самыми инновационными в отрасли. С реле в корпусе DIP8-6, это реле обладает выдающимися характеристиками в изоляции и напряжении нагрузки. Мы первые, кто использует карбид кремния в качестве материала для наших MOSFET микросхем. Это обеспечивает высокое напряжение нагрузки с исключительной производительностью в долговечности. С применением таких приложений, как инверторы, наружные зарядные станции и системы управления аккумуляторами (BMS) в электромобилях, наши твердотельные реле на основе карбида кремния могут выдерживать неблагоприятные условия окружающей среды, влажность и колебания температуры. Все производственные процессы выполняются в чистых помещениях 1-го класса, расположенных в нашем заводе с сертификатами ISO9001 и IATF16949. B.T - это высококачественный производитель RF MEMS Switch, Opto-MOS Relay, Opto-MOSFET Relays, Reed Relay, Solid State Relay из Тайваня. С более чем 30-летним опытом производства реле, Bright Toward специализируется на производстве различных видов реле с 1988 года.

service@relay.com.tw

Свяжитесь с нами

3300V/300mA/SMD8-6 Твердотельное реле (SiC MOSFET)

SMD8-6, 3300V/ 300mA, Opto-MOS Relay (SiC MOSFET) / Bright Toward Industrial Co., LTD. - производитель твердотельных реле, реле Рида и MEMS-переключателей.

3300V/300mA/SMD8-6 Твердотельное реле (SiC MOSFET) - SMD8-6, 3300V/ 300mA SSR РЕЛЕ SPST-NO (1 форма A), SiC MOSFET
  • 3300V/300mA/SMD8-6 Твердотельное реле (SiC MOSFET) - SMD8-6, 3300V/ 300mA SSR РЕЛЕ SPST-NO (1 форма A), SiC MOSFET
3300V/300mA/SMD8-6 Твердотельное реле (SiC MOSFET)
AM53F

SMD8-6, 3300V/ 300mA, Opto-MOS Relay (SiC MOSFET)

С возможностью переносить до 3300 В напряжения нагрузки в корпусе SMD8-6, наши твердотельные реле на основе карбида кремния являются самыми инновационными в отрасли. С реле в корпусе DIP8-6, это реле обладает выдающимися характеристиками в изоляции и напряжении нагрузки. Мы первые, кто использует карбид кремния в качестве материала для наших MOSFET микросхем. Это обеспечивает высокое напряжение нагрузки с исключительной производительностью в долговечности. С применением таких приложений, как инверторы, наружные зарядные станции и системы управления аккумуляторами (BMS) в электромобилях, наши твердотельные реле на основе карбида кремния могут выдерживать неблагоприятные условия окружающей среды, влажность и колебания температуры. Все производственные процессы выполняются в чистых помещениях 1-го класса, расположенных в нашем заводе с сертификатами ISO9001 и IATF16949.

Функции
  • Опто-SiC MOSFET реле
  • Миниатюрный размер
  • Размеры: 9.8* 6.4* 3.4 мм
  • Кремниевый карбидный MOSFET
  • Долгий срок службы (без механических контактов)
  • Бесшумная работа (без механических контактов)
  • Отличная линейность работы
  • Требуется низкий приводной ток/напряжение
  • Минимизированный шум
  • Высокая изоляция
  • Высокая изоляция
Контактная форма
  • 1 Form A
Напряжение пробоя I/O
  • 3750
  • 5000
Тип нагрузки
  • AC
  • DC
Напряжение нагрузки (V)
  • 3300
Нагрузочный ток (A)
  • 0.3
Тип корпуса
  • SMD8-6
Сопротивление включения (Ω)
  • 3.2
Приложение
  • Система управления батареей (BMS)
  • Модули обнаружения изоляции
  • Электромобиль
  • Зарядные станции
  • Механизм защиты от высокого напряжения
  • Автоматическое испытательное оборудование (ATE)
  • Промышленное управление
Связанные продукты
1200V/470mA/DIP6-5 Твердотельное реле (SiC MOSFET) - DIP6-5, 1200V/ 470mA SSR РЕЛЕ SPST-NO (1 форма A), SiC MOSFET
1200V/470mA/DIP6-5 Твердотельное реле (SiC MOSFET)
AA51

Этот миниатюрный твердотельный реле на кремниевом...

Подробности Добавить в список
1200V/470mA/SMD6-5 Твердотельное реле (SiC MOSFET) - SMD6-5, 1200V/ 470mA SSR РЕЛЕ SPST-NO (1 форма A), SiC MOSFET
1200V/470mA/SMD6-5 Твердотельное реле (SiC MOSFET)
AA51F

С номинальным напряжением нагрузки до 1200 В и током...

Подробности Добавить в список
1200V/470mA DIP8-6 Твердотельное реле (SiC MOSFET) - DIP8-6, 1200V/ 470mA SSR РЕЛЕ SPST-NO (1 форма A), SiC MOSFET
1200V/470mA DIP8-6 Твердотельное реле (SiC MOSFET)
AM51

С номинальным напряжением нагрузки 1200 В в компактном...

Подробности Добавить в список
1200V/470mA/SMD8-6 Твердотельное реле (SiC MOSFET) - SMD8-6, 1200V/ 470mA SSR РЕЛЕ SPST-NO (1 форма A), SiC MOSFET
1200V/470mA/SMD8-6 Твердотельное реле (SiC MOSFET)
AM51F

Этот силовой напряжение составляет 1200 В, ток нагрузки...

Подробности Добавить в список
1700В/350мА/DIP6-5 твердотельное реле (SiC MOSFET) - DIP6-5, 1700В/ 350мА SSR РЕЛЕ SPST-NO (1 Form A), SiC MOSFET
1700В/350мА/DIP6-5 твердотельное реле (SiC MOSFET)
AA52

Этот твердотельный реле на кремниевом карбиде DIP6-5...

Подробности Добавить в список
1700V/350mA/SMD6-5 Твердотельное реле (SiC MOSFET) - SMD6-5, 1700V/ 350mA SSR РЕЛЕ SPST-NO (1 форма A), SiC MOSFET
1700V/350mA/SMD6-5 Твердотельное реле (SiC MOSFET)
AA52F

РЕЛЕ TOWARD 1700V/350mA, с сопротивлением 0,6Ω, SMD6-5 твердотельное...

Подробности Добавить в список
3300V/300mA/DIP6-5 Твердотельное реле (SiC MOSFET) - DIP6-5, 3300V/ 300mA SSR РЕЛЕ SPST-NO (1 форма A), SiC MOSFET
3300V/300mA/DIP6-5 Твердотельное реле (SiC MOSFET)
AA53

С возможностью переносить до 3300V напряжения нагрузки...

Подробности Добавить в список
3300V/300mA/SMD6-5 Твердотельное реле (SiC MOSFET) - SMD6-5, 3300V/ 300mA SSR РЕЛЕ SPST-NO (1 форма A), SiC MOSFET
3300V/300mA/SMD6-5 Твердотельное реле (SiC MOSFET)
AA53F

Твердотельные реле SMD6-5 на кремниевом карбиде IC имеют...

Подробности Добавить в список
3300V/300mA/DIP8-6 Твердотельное реле (SiC MOSFET) - DIP8-6, 3300V/ 300mA SSR РЕЛЕ SPST-NO (1 форма A), SiC MOSFET
3300V/300mA/DIP8-6 Твердотельное реле (SiC MOSFET)
AM53

С возможностью переносить до 3300V напряжения нагрузки...

Подробности Добавить в список
3300V/300mA/SMD8-6 Твердотельное реле (SiC MOSFET) - SMD8-6, 3300V/ 300mA SSR РЕЛЕ SPST-NO (1 форма A), SiC MOSFET
3300V/300mA/SMD8-6 Твердотельное реле (SiC MOSFET)
AM53F

С возможностью переносить до 3300 В напряжения нагрузки...

Подробности Добавить в список
3300V/350mA/SO16 Твердотельное реле (SiC MOSFET) - SO-16, 3300V/ 350mA SSR РЕЛЕ ПРОСКАТА > 8мм SPST-NO (1 форма A), SiC MOSFET
3300V/350mA/SO16 Твердотельное реле (SiC MOSFET)
AS53F

Наш 350 мА твердотельный реле на основе карбида кремния...

Подробности Добавить в список
1800V/30mA Твердотельное реле (SiC MOSFET), DIP6-5 - DIP6-5,1800V/30mA SSR РЕЛЕ SPST-NO(1 форма A), SiC MOSFET
1800V/30mA Твердотельное реле (SiC MOSFET), DIP6-5
AA58

Это SiC MOSFET выходной миниатюрный твердотельный реле,...

Подробности Добавить в список
Скачать
AM53 Data Sheet-3300V/300mA
AM53 Data Sheet-3300V/300mA

1 форма A, SiC MOSFET, корпус DIP8-6-9.8мм*6.4мм*3.4мм

Скачать

B.T - 3300V/300mA/SMD8-6 Твердотельное реле (SiC MOSFET) Производитель

Расположенная на Тайване с 1988 года, Bright Toward Industrial Co., LTD. является поставщиком и производителем реле. Основные продукты, включая опто-МОСФЕТ-реле, опто-SiC МОСФЕТ-реле, твердотельные реле, реле Рида и RF MEMS-переключатели.

B.T поставляет реле в мировую полупроводниковую и автомобильную промышленности уже более трех десятилетий и имеет долгосрочные партнерские отношения с компаниями OKITA Works из Японии, Menlo Microsystems из Калифорнии, JEL Systems из Японии и Teledyne Relays and Coax Switches из Калифорнии. Основными клиентами являются производители полупроводниковых тестовых систем, автоматизированных испытательных стендов (ATE), систем управления аккумуляторами (BMS), промышленного оборудования и электромобилей.

B.T предлагает клиентам высококачественные реле Opto-MOSFET и Opto-SiC MOSFET с 1988 года, оба с передовой технологией и 30-летним опытом. B.T гарантирует удовлетворение потребностей каждого клиента.