Relais à semi-conducteurs SMD8-6, 3300V/300mA (MOSFET SiC)
AM53F
SMD8-6, 3300V/ 300mA, Opto-MOS Relay (SiC MOSFET)
Avec la capacité de transporter jusqu'à 3300V de tension de charge dans un boîtier SMD8-6, nos relais à semi-conducteurs à base de carbure de silicium sont les plus innovants de l'industrie. Avec un boîtier DIP8-6, ce relais présente une performance exceptionnelle en termes d'isolation et de tension de charge. Nous sommes les premiers à utiliser le carbure de silicium comme matériau pour nos circuits intégrés MOSFET. Cela permet une tension de charge élevée avec des performances exceptionnelles en termes de durabilité. Avec des applications telles que les onduleurs, les stations de charge extérieures et les systèmes de gestion de batterie (BMS) dans les véhicules électriques, nos relais à semi-conducteurs SiC peuvent résister à l'environnement volatile, à l'humidité et aux températures fluctuantes. Tous les processus de fabrication sont réalisés dans des salles blanches de qualité 1k situées dans notre usine, avec les certifications ISO9001 et IATF16949.
Caractéristiques
- Relais à MOSFET Opto-SiC
- Taille miniature
- Dimensions : 9,8 * 6,4 * 3,4 mm
- MOSFET en carbure de silicium
- Longue durée de vie (sans contacts mécaniques)
- Opérations silencieuses (sans contacts mécaniques)
- Linéarité de performance exceptionnelle
- Nécessite un faible courant/tension d'entraînement
- Bruit minimisé
- Isolation élevée
- Isolation élevée
Formulaire de contact
- 1 Form A
Tension de claquage E/S
- 3750
- 5000
Type de charge
- AC
- DC
Tension de charge (V)
- 3300
Courant de charge (A)
- 0.3
Type de boîtier
- SMD8-6
Résistance à l'état passant (Ω)
- 3.2
Application
- Système de gestion de batterie (BMS)
- Modules de détection d'isolation
- Véhicule électrique
- Stations de recharge
- Mécanisme de protection haute tension
- Équipement de test automatique (ATE)
- Contrôle industriel
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