Relais à semi-conducteurs DIP6-5, 3300V/300mA (MOSFET SiC)Fournisseur | Fabricant de relais et de commutateurs de haute qualité de Taiwan | Bright Toward Industrial Co., LTD.

Avec la capacité de transporter jusqu'à 3300V de tension de charge dans un boîtier DIP6-5, nos relais à semi-conducteurs SiC IC sont les plus innovants de l'industrie. TOWARD RELAYS est le premier à utiliser le carbure de silicium comme matériau pour nos relais miniatures MOSFET. Cela permet une tension de charge très élevée avec des performances exceptionnelles en termes de durabilité. Avec des applications telles que les onduleurs, les stations de charge extérieures et les systèmes de gestion de batterie (BMS) dans les véhicules électriques, nos relais à semi-conducteurs SiC peuvent résister à l'environnement volatile, à l'humidité et aux températures fluctuantes. Tous les processus de fabrication sont réalisés dans des salles blanches de qualité 1k dans notre usine, avec les certifications ISO9001 et IATF16949. B.T est un fabricant de commutateurs RF MEMS de haute qualité, de relais Opto-MOS, de relais Opto-MOSFET, de relais Reed et de relais à semi-conducteurs basé à Taiwan. Avec plus de 30 ans d'expérience dans la fabrication de relais, Bright Toward est spécialisé dans la fabrication de différents types de relais depuis 1988.

service@relay.com.tw

Contactez-nous

Relais à semi-conducteurs DIP6-5, 3300V/300mA (MOSFET SiC)

DIP6-5, 3300V/ 300mA, Opto-MOS Relay (SiC MOSFET) / Bright Toward Industrial Co., LTD. est un fabricant de relais à semi-conducteurs, de relais à lames et de commutateurs MEMS.

Relais à semi-conducteurs DIP6-5, 3300V/300mA (MOSFET SiC) - RELAY SSR DIP6-5, 3300V/ 300mA SPST-NO (1 Form A), MOSFET SiC
  • Relais à semi-conducteurs DIP6-5, 3300V/300mA (MOSFET SiC) - RELAY SSR DIP6-5, 3300V/ 300mA SPST-NO (1 Form A), MOSFET SiC
Relais à semi-conducteurs DIP6-5, 3300V/300mA (MOSFET SiC)
AA53

DIP6-5, 3300V/ 300mA, Opto-MOS Relay (SiC MOSFET)

Avec la capacité de transporter jusqu'à 3300V de tension de charge dans un boîtier DIP6-5, nos relais à semi-conducteurs SiC IC sont les plus innovants de l'industrie. TOWARD RELAYS est le premier à utiliser le carbure de silicium comme matériau pour nos relais miniatures MOSFET. Cela permet une tension de charge très élevée avec des performances exceptionnelles en termes de durabilité. Avec des applications telles que les onduleurs, les stations de charge extérieures et les systèmes de gestion de batterie (BMS) dans les véhicules électriques, nos relais à semi-conducteurs SiC peuvent résister à l'environnement volatile, à l'humidité et aux températures fluctuantes. Tous les processus de fabrication sont réalisés dans des salles blanches de qualité 1k dans notre usine, avec les certifications ISO9001 et IATF16949.

Ajouter à la liste
Renseignez-vous maintenant
Caractéristiques
  • Relais à MOSFET Opto-SiC
  • Taille miniature
  • Dimensions : 8.8* 6.4* 3.4 mm
  • MOSFET en carbure de silicium
  • Longue durée de vie (sans contacts mécaniques)
  • Opérations silencieuses (sans contacts mécaniques)
  • Linéarité de performance exceptionnelle
  • Nécessite un faible courant/tension d'entraînement
  • Bruit minimisé
  • Isolation élevée
  • Isolation élevée
Formulaire de contact
  • 1 Form A
Tension de claquage E/S
  • 3750
  • 5000
Type de charge
  • AC
  • DC
Tension de charge (V)
  • 3300
Courant de charge (A)
  • 0.3
Type de boîtier
  • DIP6-5
Résistance à l'état passant (Ω)
  • 3.2
Application
  • Système de gestion de batterie (BMS)
  • Modules de détection d'isolation
  • Véhicule électrique
  • Stations de recharge
  • Mécanisme de protection haute tension
  • Équipement de test automatique (ATE)
  • Contrôle industriel
Produits associés
Relais à semi-conducteurs 1200V/470mA/DIP6-5 (MOSFET SiC) - DIP6-5, Relais SSR 1200V/470mA SPST-NO (1 Form A), MOSFET SiC
Relais à semi-conducteurs 1200V/470mA/DIP6-5 (MOSFET SiC)
AA51

Ce relais à semi-conducteurs miniature à base de carbure de silicium fournit une tension...

Détails Ajouter à la liste
Relais à semi-conducteurs SMD6-5, 1200V/470mA (MOSFET SiC) - RELAY SSR SMD6-5, 1200V/ 470mA SPST-NO (1 Form A), MOSFET SiC
Relais à semi-conducteurs SMD6-5, 1200V/470mA (MOSFET SiC)
AA51F

Avec une tension de charge allant jusqu'à 1200V et un courant de charge de 470mA, notre relais...

Détails Ajouter à la liste
Relais à semi-conducteurs DIP8-6 1200V/470mA (MOSFET SiC) - Relais SSR DIP8-6, 1200V/470mA SPST-NO (1 Form A), MOSFET SiC
Relais à semi-conducteurs DIP8-6 1200V/470mA (MOSFET SiC)
AM51

Avec une tension de charge de 1200V dans un boîtier compact DIP8-6, le relais à semi-conducteurs...

Détails Ajouter à la liste
Relais à semi-conducteurs SMD8-6, 1200V/470mA (MOSFET SiC) - RELAY SSR SMD8-6, 1200V/ 470mA SPST-NO (1 Form A), MOSFET SiC
Relais à semi-conducteurs SMD8-6, 1200V/470mA (MOSFET SiC)
AM51F

Cette tension de charge à 1200V, courant de charge à 470mA, le relais à semi-conducteur...

Détails Ajouter à la liste
Relais à semi-conducteurs (SiC MOSFET) 1700V/350mA/DIP6-5 - DIP6-5, 1700V/ 350mA SSR RELAIS SPST-NO (1 Forme A), SiC MOSFET
Relais à semi-conducteurs (SiC MOSFET) 1700V/350mA/DIP6-5
AA52

Cette tension de charge allant jusqu'à 1700V, le courant de charge à 350mA DIP6-5 Relais...

Détails Ajouter à la liste
Relais à semi-conducteurs SMD6-5, 1700V/350mA (MOSFET SiC) - RELAY SSR SMD6-5, 1700V/ 350mA SPST-NO (1 Form A), MOSFET SiC
Relais à semi-conducteurs SMD6-5, 1700V/350mA (MOSFET SiC)
AA52F

LES RELAIS À SEMI-CONDUCTEURS À L'ÉTAT SOLIDE EN SILICIUM CARBURE IC DE 1700V/350mA, avec...

Détails Ajouter à la liste
Relais à semi-conducteurs DIP6-5, 3300V/300mA (MOSFET SiC) - RELAY SSR DIP6-5, 3300V/ 300mA SPST-NO (1 Form A), MOSFET SiC
Relais à semi-conducteurs DIP6-5, 3300V/300mA (MOSFET SiC)
AA53

Avec la capacité de transporter jusqu'à 3300V de tension de charge dans un boîtier DIP6-5,...

Détails Ajouter à la liste
Relais à semi-conducteurs SMD6-5, 3300V/300mA (MOSFET SiC) - RELAY SSR SMD6-5, 3300V/ 300mA SPST-NO (1 Form A), MOSFET SiC
Relais à semi-conducteurs SMD6-5, 3300V/300mA (MOSFET SiC)
AA53F

Les relais à semi-conducteurs à l'état solide SMD6-5 en carbure de silicium sont dotés...

Détails Ajouter à la liste
Relais à semi-conducteurs DIP8-6, 3300V/300mA (MOSFET SiC) - RELAY SSR DIP8-6, 3300V/ 300mA SPST-NO (1 Form A), MOSFET SiC
Relais à semi-conducteurs DIP8-6, 3300V/300mA (MOSFET SiC)
AM53

Avec la capacité de transporter jusqu'à 3300V de tension de charge dans un boîtier DIP8-6...

Détails Ajouter à la liste
Relais à semi-conducteurs SMD8-6, 3300V/300mA (MOSFET SiC) - RELAY SSR SMD8-6, 3300V/ 300mA SPST-NO (1 Form A), MOSFET SiC
Relais à semi-conducteurs SMD8-6, 3300V/300mA (MOSFET SiC)
AM53F

Avec la capacité de transporter jusqu'à 3300V de tension de charge dans un boîtier SMD8-6,...

Détails Ajouter à la liste
Relais à semi-conducteurs 3300V/350mA/SO16 (MOSFET SiC) - RELAY SSR SO-16, 3300V/ 350mA, Espacement de fuite > 8mm SPST-NO (1 Form A), MOSFET SiC
Relais à semi-conducteurs 3300V/350mA/SO16 (MOSFET SiC)
AS53F

Notre relais à semi-conducteurs à l'état solide en carbure de silicium de 350 mA est conçu...

Détails Ajouter à la liste
Paquet unique pour améliorer la distance de fuite, RELAIS À SEMI-CONDUCTEUR 3000V/500mA - Paquet unique, RELAIS SSR 3000V/500mA SPST-NO (1 Form A)
Paquet unique pour améliorer la distance de fuite, RELAIS À SEMI-CONDUCTEUR 3000V/500mA
AN53

Ce relais à semi-conducteurs en carbure de silicium miniature, emballé de manière unique,...

Détails Ajouter à la liste
Relais à semi-conducteurs 1800V/30mA (MOSFET SiC), DIP6-5 - RELAY SSR DIP6-5, 1800V/30mA SPST-NO (1 Form A), MOSFET SiC
Relais à semi-conducteurs 1800V/30mA (MOSFET SiC), DIP6-5
AA58

Ceci est un relais à état solide miniature à sortie MOSFET SiC qui supporte une tension...

Détails Ajouter à la liste
Télécharger
Fiche technique AA53-3300V/300mA
Fiche technique AA53-3300V/300mA

1 Form A,MOSFET SiC,Boîtier DIP6-5-8,8mm*6,4mm*3,4mm

Télécharger

B.T - Fabricant Relais à semi-conducteurs DIP6-5, 3300V/300mA (MOSFET SiC)

Implantée à Taïwan depuis 1988, Bright Toward Industrial Co., LTD. est un fournisseur et fabricant de relais. Ses principaux produits comprennent des relais Opto-MOSFET, des relais Opto-SiC MOSFET, des relais à semi-conducteurs, des relais Reed et des commutateurs RF MEMS.

B.T fournit des relais aux industries des semi-conducteurs et de l'automobile depuis plus de trois décennies et entretient des partenariats à long terme avec OKITA Works basé au Japon; Menlo Microsystems basé en Californie; JEL Systems basé au Japon et Teledyne Relays and Coax Switches basé en Californie. Il sert principalement les industries du test des semi-conducteurs, des ATE, des BMS (systèmes de gestion de batterie), des machines industrielles et des véhicules électriques.

B.T propose aux clients des relais Opto-MOSFET et Opto-SiC MOSFET de haute qualité depuis 1988, avec une technologie avancée et 30 ans d'expérience, B.T veille à ce que les exigences de chaque client soient satisfaites.