Relais à semi-conducteurs 1800V/30mA (MOSFET SiC), DIP6-5
AA58
DIP6-5,1800V/30mA,Opto-MOS Relay (SiC MOSFET)
Ceci est un relais à état solide miniature à sortie MOSFET SiC qui supporte une tension allant jusqu'à 1800V. Le carbure de silicium est utilisé comme matériau pour le MOSFET à l'intérieur du relais, ce qui permet une haute tension de charge avec des performances exceptionnelles en matière de durabilité. Avec des applications telles que les onduleurs, les stations de charge extérieures et les modules de détection d'isolation des systèmes de gestion de batterie. Nos relais à semi-conducteurs de sortie à MOSFET en carbure de silicium miniature peuvent résister à l'environnement volatile, à l'humidité et aux températures fluctuantes. Tous les processus de fabrication sont réalisés dans des salles blanches de qualité 1k dans notre usine, avec les certifications ISO9001 et IATF16949.
Caractéristiques
- Relais à MOSFET Opto-SiC
- Taille miniature
- Dimensions : 8.8* 6.4* 3.4 mm
- MOSFET en carbure de silicium
- Longue durée de vie (sans contacts mécaniques)
- Opérations silencieuses (sans contacts mécaniques)
- Linéarité de performance exceptionnelle
- Nécessite un faible courant/tension d'entraînement
- Bruit minimisé
- Isolation élevée
- Isolation élevée
Formulaire de contact
- 1 Form A
Tension de claquage E/S
- 5000
Type de charge
- AC
- DC
Tension de charge (V)
- 1800
Courant de charge (A)
- 0.03
Type de boîtier
- DIP6-5
Résistance à l'état passant (Ω)
- 100
Application
- Système de gestion de batterie (BMS)
- Modules de détection d'isolation
- Véhicule électrique
- Stations de recharge
- Mécanisme de protection haute tension
- Équipement de test automatique (ATE)
- Contrôle industriel
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