Relé de Estado Sólido 1800V/30mA (MOSFET de SiC), DIP6-5
AA58
DIP6-5,1800V/30mA,Opto-MOS Relay (SiC MOSFET)
Este é um relé de estado sólido miniatura de saída SiC MOSFET que suporta tensão de até 1800V. O Carbeto de Silício é aplicado como material para o MOSFET dentro do relé, isso permite alta tensão de carga com desempenho excepcional em durabilidade. Com aplicações como inversores, estações de carregamento externas e módulos de detecção de isolamento de Sistemas de Gerenciamento de Bateria. Nossos relés de estado sólido de saída de MOSFET de carbeto de silício em miniatura podem suportar o ambiente volátil, umidade e temperaturas flutuantes. Todos os processos de fabricação são realizados em salas limpas de grau 1k em nossa fábrica, com certificações ISO9001 e IATF16949.
Recursos
- Relé Opto-SiC MOSFET
- Tamanho Miniatura
- Dimensões: 8.8*6.4*3.4 mm
- MOSFET de Carbeto de Silício
- Vida Longa (sem contatos mecânicos)
- Operações Silenciosas (sem contatos mecânicos)
- Ótima Linearidade de Desempenho
- Requer baixa corrente/tensão de acionamento
- Ruído minimizado
- Alta isolação
- Alto isolamento
Formulário de Contato
- 1 Form A
Tensão de Ruptura de E/S
- 5000
Tipo de Carga
- AC
- DC
Tensão de Carga (V)
- 1800
Corrente de Carga (A)
- 0.03
Tipo de Pacote
- DIP6-5
Resistência Ligada (Ω)
- 100
Aplicação
- Sistema de Gerenciamento de Bateria (BMS)
- Módulos de Detecção de Isolamento
- Veículo Elétrico
- Estações de Carregamento
- Mecanismo de Proteção de Alta Voltagem
- Equipamento de Teste Automático (ATE)
- Controle Industrial
- Produtos Relacionados
Relé de estado sólido 1200V/470mA/DIP6-5 (MOSFET de SiC)
AA51
Este Relé de Estado Sólido em Miniatura de CI de Carbeto de Silício fornece até 1200V de tensão...
Detalhes Adicionado a listaRelé de Estado Sólido SMD6-5, 1200V/470mA (MOSFET de SiC)
AA51F
Com até 1200V de tensão de carga e 470mA de corrente de carga, nosso Relé de Estado Sólido...
Detalhes Adicionado a listaRelé de estado sólido DIP8-6 1200V/470mA (MOSFET de SiC)
AM51
Com tensão de carga de 1200V em um pacote compacto DIP8-6, o Relé de Estado Sólido em Miniatura...
Detalhes Adicionado a listaRelé de Estado Sólido SMD8-6, 1200V/470mA (MOSFET de SiC)
AM51F
Esta tensão de carga em 1200V, corrente de carga em 470mA, Relé de Estado Sólido de IC de Carbeto...
Detalhes Adicionado a lista1700V/350mA/DIP6-5 Relé de Estado Sólido (SiC MOSFET)
AA52
Esta tensão de carga de até 1700V, corrente de carga de 350mA DIP6-5 Relé de Estado Sólido...
Detalhes Adicionado a listaRelé de Estado Sólido SMD6-5, 1700V/350mA (MOSFET de SiC)
AA52F
PARA RELÉS DE 1700V/350mA, resistência de 0,6Ω, SMD6-5 Relés de Estado Sólido de CI de Carbeto...
Detalhes Adicionado a listaRelé de Estado Sólido DIP6-5, 3300V/300mA (MOSFET de SiC)
AA53
Com a capacidade de suportar até 3300V de tensão de carga em um pacote DIP6-5, nossos Relés...
Detalhes Adicionado a listaRelé de Estado Sólido SMD6-5, 3300V/300mA (MOSFET de SiC)
AA53F
Os Relés de Estado Sólido IC de Carbeto de Silício SMD6-5 possuem uma tensão de carga de 3300V...
Detalhes Adicionado a listaRelé de Estado Sólido DIP8-6, 3300V/300mA (MOSFET SiC)
AM53
Com a capacidade de suportar até 3300V de tensão de carga em um pacote DIP8-6 em miniatura,...
Detalhes Adicionado a listaRelé de Estado Sólido SMD8-6, 3300V/300mA (MOSFET de SiC)
AM53F
Com a capacidade de suportar até 3300V de tensão de carga em um pacote SMD8-6, nossos Relés...
Detalhes Adicionado a listaRelé de Estado Sólido 3300V/350mA/SO16 (MOSFET SiC)
AS53F
Nosso Relé de Estado Sólido IC de Carbeto de Silício de 350mA é projetado para aplicações...
Detalhes Adicionado a listaPacote único para melhorar a distância de fuga, RELÉ DE ESTADO SÓLIDO 3000V/500mA
AN53
Este Relé de Estado Sólido em Miniatura de IC de Carbeto de Silício, embalado de forma única,...
Detalhes Adicionado a listaRelé de Estado Sólido 1800V/30mA (MOSFET de SiC), DIP6-5
AA58
Este é um relé de estado sólido miniatura de saída SiC MOSFET que suporta tensão de até...
Detalhes Adicionado a lista- Baixar