Relé de estado sólido 1200V/470mA/DIP6-5 (MOSFET de SiC)Fornecedor | Fabricante de Relés e Interruptores de Alta Qualidade de Taiwan | Bright Toward Industrial Co., LTD.

Este Relé de Estado Sólido em Miniatura de CI de Carbeto de Silício fornece até 1200V de tensão de carga com 470mA de corrente de carga e resistência de 0,6Ω. Possui um arranjo de contato 1 Form A em um pacote DIP6-5. Com esta forma de embalagem, a distância de fuga é melhorada para uma melhor isolamento. Ao aplicar Carbeto de Silício como material para MOSFETs, nosso Relé de Estado Sólido IC pode suportar altas tensões enquanto opera em ambientes adversos com temperaturas flutuantes. B.T é um fabricante de alta qualidade de Chave RF MEMS, Relé Opto-MOS, Relés Opto-MOSFET, Relé Reed e Relé de Estado Sólido de Taiwan. Com mais de 30 anos de experiência na fabricação de relés, Bright Toward é especializada na fabricação de diferentes tipos de relés desde 1988.

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Relé de estado sólido 1200V/470mA/DIP6-5 (MOSFET de SiC)

DIP6-5, 1200V/ 470mA, Opto-MOS Relay (SiC MOSFET) / Bright Toward Industrial Co., LTD. é um fabricante de Relés de Estado Sólido, Relés Reed e Chaves MEMS.

Relé de estado sólido 1200V/470mA/DIP6-5 (MOSFET de SiC) - DIP6-5, 1200V/ 470mA RELÉ DE ESTADO SÓLIDO SPST-NO (1 Form A), MOSFET de SiC
  • Relé de estado sólido 1200V/470mA/DIP6-5 (MOSFET de SiC) - DIP6-5, 1200V/ 470mA RELÉ DE ESTADO SÓLIDO SPST-NO (1 Form A), MOSFET de SiC
Relé de estado sólido 1200V/470mA/DIP6-5 (MOSFET de SiC)
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DIP6-5, 1200V/ 470mA, Opto-MOS Relay (SiC MOSFET)

Este Relé de Estado Sólido em Miniatura de CI de Carbeto de Silício fornece até 1200V de tensão de carga com 470mA de corrente de carga e resistência de 0,6Ω. Possui um arranjo de contato 1 Form A em um pacote DIP6-5. Com esta forma de embalagem, a distância de fuga é melhorada para uma melhor isolamento. Ao aplicar Carbeto de Silício como material para MOSFETs, nosso Relé de Estado Sólido IC pode suportar altas tensões enquanto opera em ambientes adversos com temperaturas flutuantes.

Recursos
  • Relé de MOSFET Opto-SiC
  • Tamanho Miniatura
  • Dimensões: 8,8* 6,4* 3,4 mm
  • Longa Vida (sem contatos mecânicos)
  • Operações Silenciosas (sem contatos mecânicos)
  • Ótima Linearidade de Desempenho
  • Requer Baixa Corrente/Tensão de Acionamento
  • Ruído Minimizado
  • Alta Isolação
  • Alta Isolação
Formulário de Contato
  • 1 Form A
Tensão de Ruptura de E/S
  • 3750
  • 5000
Tipo de Carga
  • AC
  • DC
Tensão de Carga (V)
  • 1200
Corrente de Carga (A)
  • 0.47
Tipo de Pacote
  • DIP6-5
Resistência Ligada (Ω)
  • 0.6
Aplicação
  • Sistema de Gerenciamento de Bateria (BMS)
  • Módulos de Detecção de Isolamento
  • Veículo Elétrico
  • Estações de Carregamento
  • Mecanismo de Proteção de Alta Voltagem
  • Equipamento de Teste Automático (ATE)
  • Controle Industrial
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Ficha de Dados AA51-1200V/470mA
Ficha de Dados AA51-1200V/470mA

1 Form A, MOSFET de SiC, Pacote DIP6-5-8,8mm*6,4mm*3,4mm

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B.T - Fabricante Relé de estado sólido 1200V/470mA/DIP6-5 (MOSFET de SiC)

Localizada em Taiwan desde 1988, Bright Toward Industrial Co., LTD. é um fornecedor e fabricante de relés. Principais produtos, incluindo Relés Opto-MOSFET, Relés Opto-SiC MOSFET, Relés de Estado Sólido, Relés Reed e Chaves RF MEMS.

B.T fornece relés para as indústrias automotivas e de semicondutores do mundo há mais de três décadas e tem parcerias de longo prazo com a OKITA Works, sediada no Japão; Menlo Microsystems com sede na Califórnia; JEL Systems com sede no Japão e Teledyne Relays e Coax Switches com sede na Califórnia. Atende principalmente as indústrias de testes de semicondutores, ATE, BMS (sistemas de gerenciamento de baterias), máquinas industriais e veículos elétricos.

B.T tem oferecido aos clientes relés Opto-MOSFET e Opto-SiC MOSFET de alta qualidade desde 1988, ambos com tecnologia avançada e 30 anos de experiência, B.T garante que as demandas de cada cliente sejam atendidas.