Relais à semi-conducteurs 1200V/470mA/DIP6-5 (MOSFET SiC)
AA51
DIP6-5, 1200V/ 470mA, Opto-MOS Relay (SiC MOSFET)
Ce relais à semi-conducteurs miniature à base de carbure de silicium fournit une tension de charge allant jusqu'à 1200V avec un courant de charge de 470mA et une résistance à l'état passant de 0,6Ω. Il dispose d'un agencement de contact 1 Form A dans un boîtier DIP6-5. Avec cette forme de package, la distance de fuite est améliorée pour une meilleure isolation. En utilisant le carbure de silicium comme matériau pour les MOSFET, notre relais à semi-conducteurs à l'état solide peut supporter des tensions élevées tout en fonctionnant dans des environnements difficiles avec des températures fluctuantes.
Caractéristiques
- Relais Opto-MOSFET SiC
- Taille miniature
- Dimensions : 8,8* 6,4* 3,4 mm
- Longue durée de vie (sans contacts mécaniques)
- Fonctionnement silencieux (sans contacts mécaniques)
- Excellente linéarité des performances
- Nécessite un courant/tension de commande faible
- Bruit minimisé
- Haute isolation
- Isolement élevé
Formulaire de contact
- 1 Form A
Tension de claquage E/S
- 3750
- 5000
Type de charge
- AC
- DC
Tension de charge (V)
- 1200
Courant de charge (A)
- 0.47
Type de boîtier
- DIP6-5
Résistance à l'état passant (Ω)
- 0.6
Application
- Système de gestion de batterie (BMS)
- Modules de détection d'isolation
- Véhicule électrique
- Stations de recharge
- Mécanisme de protection haute tension
- Équipement de test automatique (ATE)
- Contrôle industriel
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