Relais à semi-conducteurs 3300V/350mA/SO16 (MOSFET SiC)
AS53F
SO-16, 3300V/ 350mA, Opto-MOS Relay (SiC MOSFET)
Notre relais à semi-conducteurs à l'état solide en carbure de silicium de 350 mA est conçu pour les applications à forte demande, prenant en charge des tensions de charge allant jusqu'à 3300V et garantissant une distance de fuite supérieure à 8 mm. Idéal pour les modules de détection d'isolation dans les systèmes de gestion de batterie, il répond aux spécifications critiques en matière de tension de charge et de distance d'isolement. Le relais est doté d'un MOSFET SiC photoélectrique, couplé optiquement avec une LED infrarouge, ce qui garantit des performances robustes contre les hautes tensions, la volatilité environnementale, l'humidité et les variations de température. Fabriqué dans nos salles blanches de qualité 1k certifiées ISO 9001 et IATF 16949, il respecte les normes les plus élevées de qualité et de fiabilité.
Caractéristiques
- Relais à MOSFET Opto-SiC
- Taille miniature
- MOSFET en carbure de silicium
- Longue durée de vie (sans contacts mécaniques)
- Opérations silencieuses (sans contacts mécaniques)
- Linéarité de performance exceptionnelle
- Nécessite un faible courant/tension d'entraînement
- Bruit minimisé
- Isolation élevée
- Isolation élevée
Formulaire de contact
- 1 Form A
Tension de claquage E/S
- 5000
Type de charge
- AC
- DC
Tension de charge (V)
- 3300
Courant de charge (A)
- 0.35
Type de boîtier
- SO-16
Résistance à l'état passant (Ω)
- 3.2
Application
- Système de gestion de batterie (BMS)
- Modules de détection d'isolation
- Véhicule électrique
- Stations de recharge
- Mécanisme de protection haute tension
- Équipement de test automatique (ATE)
- Contrôle industriel
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