3300V/300mA/SMD8-6 Solid State Relais (SiC MOSFET)
AM53F
SMD8-6, 3300V/ 300mA, Opto-MOS Relay (SiC MOSFET)
Mit der Fähigkeit, bis zu 3300V Lastspannung in einem SMD8-6-Gehäuse zu tragen, sind unsere Siliziumkarbid-IC-Festkörperrelais die innovativsten in der Branche. Mit einem DIP8-6-Gehäuse hat dieses Relais eine herausragende Leistung in Bezug auf Isolierung und Lastspannung. Wir sind die ersten, die Siliziumkarbid als Material für unsere MOSFET-ICs verwenden. Dies ermöglicht eine hohe Lastspannung mit außergewöhnlicher Leistungsfähigkeit in Bezug auf Haltbarkeit. Mit Anwendungen wie Wechselrichtern, Aufladestationen im Freien und Batteriemanagementsystemen (BMS) in Elektrofahrzeugen können unsere SiC Solid State Relais die volatile Umgebung, Feuchtigkeit und schwankende Temperaturen standhalten. Alle Fertigungsprozesse werden in Reinräumen der Klasse 1k durchgeführt, die sich in unserer Fabrik mit ISO9001- und IATF16949-Zertifizierungen befinden.
Funktionen
- Opto-SiC-MOSFET-Relais
- Kleinformat
- Abmessungen: 9,8 * 6,4 * 3,4 mm
- Siliziumkarbid-MOSFET
- Langlebigkeit (ohne mechanische Kontakte)
- Geräuschlose Operationen (ohne mechanische Kontakte)
- Hervorragende Linearität der Leistung
- Erfordern geringen Ansteuerungsstrom/-spannung
- Minimiertes Rauschen
- Hohe Isolierung
- Hohe Isolation
Kontaktformular
- 1 Form A
I/O-Durchbruchspannung
- 3750
- 5000
Art der Last
- AC
- DC
Lastspannung (V)
- 3300
Lastspannung (A)
- 0.3
Gehäusetyp
- SMD8-6
Einschaltwiderstand (Ω)
- 3.2
Anwendung
- Batteriemanagementsystem (BMS)
- Isolationsdetektionsmodule
- Elektrofahrzeug
- Ladestationen
- Hochspannungsschutzmechanismus
- Automatisches Testequipment (ATE)
- Industrielle Steuerung
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3300V/300mA/SMD8-6 Solid State Relais (SiC MOSFET)
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