3300V/300mA/SMD6-5 Solid State Relais (SiC MOSFET)
AA53F
SMD6-5, 3300V/ 300mA, Opto-MOS Relay (SiC MOSFET)
Die SMD6-5 Siliziumkarbid-IC-Halbleiterrelais zeichnen sich durch eine Lastspannung von 3300V aus und können einen Laststrom von 300mA tragen. Sie besitzen einen einzigartigen Status in der Branche. Dieser Siliziumkarbid-IC-Festkörperrelais ist für Isolationsdetektionsmodule von Batteriemanagementsystemen konzipiert, bei denen Lastspannung und Kriechstrecke kritische Parameter sind. Es besteht aus einem fotoelektrisch gekoppelten SiC-MOSFET, der mit einer Infrarot-LED verbunden ist. Es kann hohe Spannungen, volatile Umgebungen, Feuchtigkeit und schwankende Temperaturen standhalten. Alle Fertigungsprozesse werden in Reinräumen der Klasse 1k durchgeführt, die sich in unserer Fabrik mit ISO9001- und IATF16949-Zertifizierungen befinden.
Funktionen
- Opto-SiC-MOSFET-Relais
- Kleinformat
- Abmessungen: 8,8* 6,4* 3,4 mm
- Siliziumkarbid-MOSFET
- Langlebigkeit (ohne mechanische Kontakte)
- Geräuschlose Operationen (ohne mechanische Kontakte)
- Hervorragende Linearität der Leistung
- Erfordern geringen Ansteuerungsstrom/-spannung
- Minimiertes Rauschen
- Hohe Isolierung
- Hohe Isolation
Kontaktformular
- 1 Form A
I/O-Durchbruchspannung
- 3750
- 5000
Art der Last
- AC
- DC
Lastspannung (V)
- 3300
Lastspannung (A)
- 0.3
Gehäusetyp
- SMD6-5
Einschaltwiderstand (Ω)
- 3.2
Anwendung
- Batteriemanagementsystem (BMS)
- Isolationsdetektionsmodule
- Elektrofahrzeug
- Ladestationen
- Hochspannungsschutzmechanismus
- Automatisches Testequipment (ATE)
- Industrielle Steuerung
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1200V/470mA/DIP6-5 Solid State Relais (SiC MOSFET)
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Mit der Fähigkeit, bis zu 3300V Lastspannung in einem DIP6-5-Gehäuse zu tragen, sind unsere...
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Die SMD6-5 Siliziumkarbid-IC-Halbleiterrelais zeichnen sich durch eine Lastspannung von 3300V...
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Mit der Fähigkeit, bis zu 3300V Lastspannung in einem Miniatur-DIP8-6-Gehäuse zu tragen,...
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Mit der Fähigkeit, bis zu 3300V Lastspannung in einem SMD8-6-Gehäuse zu tragen, sind unsere...
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