1200V/470mA DIP8-6 सॉलिड स्टेट रिले (SiC MOSFET)
AM51
DIP8-6, 1200V/ 470mA, Opto-MOS Relay (SiC MOSFET)
1200V लोड वोल्टेज के साथ एक कॉम्पैक्ट DIP8-6 पैकेज में, सिलिकॉन कार्बाइड मिनिएचर आईसी सॉलिड स्टेट रिले उच्च वोल्टेज एप्लिकेशन्स के लिए डिज़ाइन किया गया है जैसे कि बैटरी मैनेजमेंट सिस्टम (बीएमएस) में इंसुलेशन डिटेक्शन। इलेक्ट्रिक वाहन उद्योग की उच्च वोल्टेज और उच्च टिकाऊता की आवश्यकताओं को पूरा करने के लिए, हमने अपने छोटे रिले में आंतरिक MOSFET के रूप में सिलिकॉन कार्बाइड का उपयोग किया है; इससे कठिन पर्यावरण में एप्लिकेशन संभव होते हैं। कंटैक्टलेस डिज़ाइन भी अपरिमित ऑपरेशनल लाइफटाइम के लिए संभव बनाता है। एक DIP8-6 पैकेज के साथ, क्रीपेज दूरी को सुधारा जाता है ताकि इंसुलेशन में सुधार हो। एएम51 एसआईसी आईसी सॉलिड स्टेट रिले हमारे कारख़ाने में डिज़ाइन, निर्माण और परीक्षण के साथ बनाया जाता है जिसमें ISO9001 और IATF16949 प्रमाणीकरण हैं।
विशेषताएं
- मिनिएचर आकार
- आयाम: 9.8* 6.4* 3.4 मिमी
- लंबी आयु (मैकेनिकल संपर्कों के बिना)
- शांत संचालन (मैकेनिकल संपर्कों के बिना)
- महान प्रदर्शन रैखिकता
- कम ड्राइव करंट/वोल्टेज की आवश्यकता है
- न्यूनतम शोर
- उच्च विद्युत रोधकता
- उच्च पृथक्करण
संपर्क फॉर्म
- 1 Form A
I/O ब्रेकडाउन वोल्टेज
- 3750
- 5000
लोड का प्रकार
- AC
- DC
लोड वोल्टेज (V)
- 1200
लोड करंट (A)
- 0.47
पैकेज प्रकार
- DIP8-6
ऑन प्रतिरोध (Ω)
- 0.6
आवेदन
- बैटरी प्रबंधन प्रणाली (बीएमएस)
- इन्सुलेशन पहचान मॉड्यूल्स
- इलेक्ट्रिक वाहन
- चार्जिंग स्टेशन्स
- उच्च वोल्टेज संरक्षण यांत्रिकी
- स्वचालित परीक्षण उपकरण (एटीई)
- औद्योगिक नियंत्रण
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