拓緯推出的RF MEMS Switch 结合了美商GE奇异电子的材料学与康宁玻璃的玻璃通孔技术，跳脱传统继电器设计架构，革命性的提升了特性与规格。
射频微机电开关
高频・高功率・高可靠性
拓緯深耕继电器产业超过三十年，近年携手美国通用电子（General Electric）及康宁（Corning）共同创立的Menlo Micro共同打造革命性产品—— RF MEMS 高频微机电开关，彻底突破传统继电器的体积与性能限制，实现更小体积、更高频率与更强功率处理能力的创新产品。
本系列产品采用Menlo Micro 的Ideal Switch™，融合通用电子百年航太材料经验与康宁的玻璃穿孔封装技术（TGV），即使在高频热切换（Hot Switching）条件下也可维持超过30 亿次寿命，展现远超传统机械式与固态开关的耐久性与稳定性。
RF MEMS 开关支援DC 至60GHz 以上的频率范围，单通道可承受25W 连续功率（脉冲高达150W），6GHz下插入损耗仅约0.2dB，线性度高达IP3 > 95 dBm，同时Coff 值低至15 fF，有效降低RC 时间常数，进一步提升高频响应速度与讯号稳定性。
产品封装尺寸最小仅2.5mm × 2.5mm，适合高密度模组整合与空间有限的应用。此系列产品拥有多款多通道型号，从四通道的MM5130, MM5800到六通道的MM1200、MM3100、MM3130，拓緯亦提供针对静电防护与控制介面优化的客制型号，包括M4AG（SP4T）与M2CG（DPDT），全面满足自动化测试、射频模组、5G 设备与半导体测试领域的严苛需求。
关键应用
随着5G 与高速通信时代来临，RF 测试环境对讯号品质与频率精度的要求日益严格。拓緯RF MEMS Switch 系列已广泛导入于半导体测试介面板、高速RF 测试设备、自动化测试系统(ATE)以及航太与国防等产业，并获得多家国际IC 设计大厂与半导体测试业者的肯定。拓緯亦提供完整的控制架构设计建议与应用经验，协助客户快速整合并优化系统效能。| 图片 | 产品名称 | 接点形式 | 耐电压(V) | 耐电流(A) | 文件下载 | 设定 |
|---|---|---|---|---|---|---|
MM5140
| DC to 6 GHz, SP4T 射频微机电开关 | SP4T (MEMS Switch) | 150 | 0.5 |
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MM5120
| DC to 18 GHz, SP4T 射频微机电开关 | SP4T (MEMS Switch) | 150 | 0.5 |
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MD05-90
| 5V to 90V 升压IC模组 |
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M4AG
| DC to 16 GHz, SP4T 射频微机电开关 | SP4T (MEMS Switch) | 150 | 0.5 |
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M2CG
| DC to 8 GHz, DPDT 射频微机电开关 | DPDT (MEMS Switch) | 150 | 0.5 |
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MM5600
| 40 Gbps, DPDT 高速微机电开关 | DPDT (MEMS Switch) | 150 | 0.1 |
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MM5620
| 64 Gbps, Dual DP3T高速微机电开关 | 差分傳輸, 雙DP3T (*更多資訊請看下方圖表) |
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MM5622
| 64 Gbps, DP3T高速差分回路微机电开关 | 差分傳輸, 雙DP3T |
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MM5130
| DC to 26 GHz, SP4T 射频微机电开关 | SP4T (MEMS Switch) | 150 | 0.5 |
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MM5230
| DC to 26 GHz, SP4T 射频微机电开关 | SP4T (MEMS Switch) | 150 | 0.5 |
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4AX
| DC to 18GHz, SP4T 射频微机电开关 | SP4T (MEMS Switch) | 150 | 0.5 |
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MIXO
| DC to 18GHz, SP*T 射频开关模组 | SP6T, SP8T, SP12T |
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