64 Gbps, Dual DP3T高速微机电开关
MM5620
MM5620 是一种提供高速差分讯号切换的双DP3T MEMS射频微机电继电器，可在64 Gbps 的速度下工作，带宽为20GHz。支持最新的PCIe Gen 5、Gen 6、SerDes 与其他标准的差分双DP3T开关。此外，MM5620具有低插入损耗、快速切换速度，并可进行超过30亿次的切换生命周期。
MM5620在8.2mm *8.2mm LGA 封装内提供了完整端到端TX 到RX Differential Loopback 解决方案，内建隔离电容，并提供多个高速路径接回测试机台。此外，MM5620采用系统级封装(SiP)由主处理器透过SPI 或是GPIO 接口控制，内建驱动线路，大幅节省电路板空间。
MM5620提供高速资料传输、高速差分数据应用，为空间受限的终端测试提供了前所未有的平行测试水准，并适用于智慧手机、图形和网路处理器、微处理器、加速器和高速记忆体产品等各种产品。
MM5620 基于Menlo Micro 的Ideal Switch®技术，并结合了奇异电子(General Electric) 的材料学以及康宁玻璃(Corning) 的玻璃穿孔技术(TGV)，可实现高达64 Gbps 或20 GHz 的高性能应用。
产品特性
- DC to 20 GHz range, up to 64 Gbps
- 差分传输, 双DP3T
- 插入损耗1.5dB @ 16GHz De-embed
- 微机电制成
- 30亿回寿命
- 内置交流耦合电容(220 nF)
- SPI 与GPIO 控制介面
- 8.2 mm x 8.2 mm LGA
接点形式
- 差分傳輸, 雙DP3T (*更多資訊請看下方圖表)
MM5620: 内部路径与功能示意图
MM5620 的高速(HS) Loopback 路径支援64 Gbps PAM-4
频率
- DC to 20 GHz range
- 64 Gbps
导通电组(Ω)
- 1.7
插入损耗
- 1.5dB @16GHz (差分傳輸)
反射损耗
- 28dB @16GHz (高速路徑)
隔离度
- 67dB @16GHz (高速路徑)
静电防护
- 150V
MM5620 控制示意图
*控制方式：GPIO & SPI
*VDD_IO: Digital I/O supply (+1.8V to 5.0V)
*VDD: 类比线路所需+3.3V
*VIN: 内部升压所需+5V
MM5620应用演示
在高速下使用一颗MM5620 测试两条PCIe Gen4/5/6 通道
*HSIO Loopback Mode 乘以二
*在高速下使用一颗MM5620 测试两条PCIe 4/5/6 通道
- TX0_X ↔ RX0_X (HS1 ↔ HS2) at speed test
- TX1_X ↔ RX1_X (MS1 ↔ MS2) at speed test
*全双向信号路径
MM5620信号路径RF 表现
插入损耗(SDD21)
MM5620信号路径RF 表现
回波损耗(SDD11)
MM5620: 信号路径与量测案例
高速1(HS1 ↔ HS2)、高速2(MS1 ↔ MS2)、低速(LS1 ↔ LS2)
MM5620 高速路径眼图表现(HS1 ↔ HS2)
眼图测试条件：PCIe Gen6 / PAM4, 32 Gbaud(64Gbps), PRBS 2^15-1 / ±400mV
MM5620 高速路径眼图表现(MS1 ↔ MS2)
眼图测试条件：PCIe Gen6 / PAM4, 32 Gbaud(64Gbps), PRBS 2^15-1 / ±400mV
MM5620: 信号路径与量测案例
HS1 ↔ MS1、HS2 ↔ MS2、HS1 ↔ LS1、HS2 ↔ LS2、MS1 ↔ LS1、MS2 ↔ LS2
产品应用
- 半导体测试介面版
- PCIe 晶片测试
- PCIe Gen 5 & 6, SerDes,USBx.x , InfiniBand, HDMI, SSD, DDR, GPU, CPU, NICs, Memory Chips 测试
- 5G基地台
- 阵列天线
- 高频消费性产品
- Switched Filter Banks and Tunable Filters
- 高功率射频前端(High Power RF Front Ends)
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