40 Gbps, DPDT 高速微机电开关
MM5600
这是一颗DPDT (2 Form C) 的高速(40Gbps) 微机电开关(MEMS Switch) 。内建驱动线路，是特别为Differential Signal 需求所设计的RF Switch。
MM5600专为高速讯号设计, 结合了奇异电子(General Electric) 的材料学与康宁玻璃( Corning) 的玻璃穿孔技术(TGV)，此微机电开关有30亿回的寿命，并可以在高温环境下热切换。
产品特性
- 40Gbps
- DPDT
- 微机电制成
- 超小体积
- 高绝缘24dB Isolation @ 10 GHz
- 30亿回寿命
- ESD 静电防护500V
接点形式
- DPDT (MEMS Switch)
频率
- 20 GHz
- 40Gbps
耐电压(V)
- 150
耐电流(A)
- 0.1
导通电组(Ω)
- 3
插入损耗
- 1.3dB@ 10GHz
反射损耗
- 11dB@ 10GHz
隔离度
- 24dB
静电防护
- 500V
高速微机电开关32Gbps 表现
下图是高速微机电开关2 Form C (MM5600) 在32Gbps 下的眼图表现
高速微机电开关40Gbps表现
下图是高速微机电开关2 Form C (MM5600) 在40Gbps 下的眼图表现
高速微机电开关32Gbps 表现(not de-embedded)
图为高速微机电开关在32Gbps 上版后的眼图表现(RF connectors and RF traces are not de-embedded)
高速微机电开关在85°C 环境温度下切换一千万次的接触阻抗表现
下列图表为高速微机电开关MM5600 在85°C 环境温度下切换一千万次的接触阻抗表现
高速微机电开关在25°C 环境温度下切换一千万次的接触阻抗表现
下列图表为高速微机电开关在25°C 环境温度下切换一千万次的接触阻抗表现
高速微机电开关相位杂讯表现
相位杂讯表现: -140dBc@1 MHz offset; <20fs jitter/ 量测仪器: R&S Signal Analyzer with Phase Noise Option
高速微机电开关测试版: 高速双DPDT + Loopback 线路
此线路使用两颗高速微机电开关, 兜成差分线路+Loop Back, 此线路能测40 Gbps 的讯号, 为符合PCIe 5.0 的需求
产品应用
- 半导体测试介面版
- PEIe 晶片测试
- USB/SSD/DDR/GPU/CPU/NICs/Memory Chips 测试
- 5G基地台
- 阵列天线
- 高频消费性产品
- Switched Filter Banks and Tunable Filters
- High Power RF Front Ends
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