使用碳化矽晶片的光耦合繼電器承載電壓範圍從1500伏特可達至少3300伏特。
SiC光耦合繼電器 (1500V 到 6600V)
在看到電動車電池總電壓越來越高的市場趨勢後，拓緯成功開發出了使用碳化矽作為晶片材料的光耦合繼電器， 耐電壓選擇從 1800V 到 3300V，並計劃在 2025年底發佈耐電壓為 6600V 的光耦合繼電器。大量使用於電池管理系統 (BMS) 內絕緣檢測模組，以及其他高壓測試需求。
| 圖片 | 產品名稱 | 接點形式 | 耐電壓 (V) | 耐電流 (A) | 文件下載 | 設定 |
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AA58
| 1800V/30mA 光耦合繼電器(SiC MOSFET),DIP6-5 | 1 Form A | 1800 | 0.03 |
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AA58F
| 1800V/30mA 光耦合繼電器(SiC MOSFET),SMD6-5 | 1 Form A | 1800 | 0.03 |
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AS58F
| 1800V/30mA 光耦合繼電器(SiC MOSFET),SO-16; Creepage > 8mm | 1 Form A | 1800 | 0.03 |
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