1800V/30mA 光耦合繼電器(SiC MOSFET),SO-16; Creepage > 8mm | 高品質1800V/30mA 光耦合繼電器(SiC MOSFET),SO-16; Creepage > 8mm製造商 | 拓緯實業股份有限公司

拓緯是專業製造1800V/30mA 光耦合繼電器(SiC MOSFET),SO-16; Creepage > 8mm及提供1800V/30mA 光耦合繼電器(SiC MOSFET),SO-16; Creepage > 8mm服務的優良廠商(成立於西元1988年)超過30年的繼電器研發及生產經驗，除深耕半導體測試市場外，車用電子、射頻訊號、軍用市場等領域等.

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1800V/30mA 光耦合繼電器(SiC MOSFET),SO-16; Creepage > 8mm

SO-16, 1800V/30mA, Opto-MOS Relay (SiC MOSFET) Creepage > 8mm / 拓緯是繼電器的專業製造商。主要產品有：磁簧繼電器、光耦合繼電器、射頻微機電開關、碳化矽光耦合繼電器、固態繼電器。

1800V/30mA 光耦合繼電器(SiC MOSFET),SO-16; Creepage > 8mm - So-16,1800V/30mA SPST-NO(1 Form A), SiC MOSFET, Creepage > 8mm
  • 1800V/30mA 光耦合繼電器(SiC MOSFET),SO-16; Creepage > 8mm - So-16,1800V/30mA SPST-NO(1 Form A), SiC MOSFET, Creepage > 8mm
1800V/30mA 光耦合繼電器(SiC MOSFET),SO-16; Creepage > 8mm
AS58F

SO-16, 1800V/30mA, Opto-MOS Relay (SiC MOSFET) Creepage > 8mm

這是一顆半導體式小型光耦合繼電器。可負載高達1800伏電壓，耐電流30毫安培，採 爬電距離 (Creepage Distance) > 8mm 的 SO-16 封裝形式，使用碳化矽做為MOSFET晶片材料。可承受濕度和溫度大幅波動，在惡劣環境下正常運作。

此碳化矽光耦合繼電器具備高崩潰電壓 (1800V)、高電場強度、亦具備高導熱能力，並確保其產品能於-40 °C to 125 °C ( -40°F to 257°F)以及各種惡劣環境下正常運作。

內部由LED 驅動 SiC MOSFET 進行開關，以光信號為媒介來實現電信號的耦合與傳遞，輸入與輸出具有更好的隔離度與抗干擾。

結合微型尺寸設計、高絕緣性、高崩潰電壓、良好散熱等特性，碳化矽光耦合繼電器適用於電池管理系統絕緣檢測線路 (BMS Insulation Detection Circuit) 應用。當電池模組內絕緣劣化時，會有接地故障電流通過光耦合繼電器，因而啟動保護機制。因為電池模組的總電壓很高，拓緯的碳化矽光耦合繼電器高電壓特性能滿足絕緣檢測線路需求。

拓緯的碳化矽光耦合繼電器從晶片設計到晶片切割、擴晶、固晶、打線、到封裝、測試皆在拓緯擁有 ISO9001 與 IATF16949車規認證的新竹廠1K等級無塵室中完成。品質管控、供應鏈管理、成本控制、交期皆是優勢。

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產品特性
  • 爬電距離 > 8mm
  • 內部使用碳化矽MOSFET
  • 無機械接點造就超長壽命
  • 無機械接點造就無聲運作
  • 線性度表現佳
  • 低失真
  • 低耗電
  • 低雜訊
  • 高隔離
  • 高絕緣性
接點形式
  • 1 Form A
輸入/輸出間絕緣耐壓 (V)
  • 5000
交流/直流
  • AC
  • DC
耐電壓 (V)
  • 1800
耐電流 (A)
  • 0.03
封裝形式
  • SO-16
導通電組 (Ω)
  • 100
產品應用
  • 電動車電池管裡系統 (BMS)
  • 充電樁
  • 絕緣檢測、高壓檢測
  • 半導體測試介面板
  • 半導體測試機 (ATE)
  • 工業控制
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拓緯的AA51光耦合繼電器採用碳化矽 (Silicon Carbide) 做為內部晶片材料，可負載高達1200伏的電壓，耐電流為470毫安培，導通電阻為...

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此光耦合繼電器耐電壓達1200伏，耐電流為 470 毫安培，導通電阻為 0.6 Ohms，使用SMD6-5的封裝，是一顆高耐壓碳化矽半導體式小型光耦合繼電器。碳化矽光耦合繼電器具備高崩潰電壓、高電場強度、亦具備高導熱能力，並確保其產品能於-40...

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採用DIP8-6封裝形式的AM51 為碳化矽半導體式小型光耦合繼電器。能負載1200伏電壓，470毫安培電流，導通電阻為...

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A接點常開型的光耦合繼電器，耐電壓達1200伏，耐電流600mA，導通電阻為...

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此光耦合繼電器能負載高達1700伏的電壓，耐電流350毫安培，導通電阻為...

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能負載高達1700伏的AA52F，是一顆採用8.8mm*6.4mm SMD6-5封裝形式的碳化矽半導體式小型光耦合繼電器，耐電流為350毫安培，導通電阻為...

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此小型光耦合繼電器可負載高達3300伏的電壓，耐電流達300mA，為A接點常開型的碳化矽半導體式小型光耦合繼電器。使用8.8mm*6.4mm...

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3300V/300mA 光耦合繼電器(SiC MOSFET), SMD6-5 - SMD6-5,3300V/300mA SPST-NO (1 Form A), SiC MOSFET
3300V/300mA 光耦合繼電器(SiC MOSFET), SMD6-5
AA53F

此小型光耦合繼電器可負載高達3300伏電壓，耐電流330毫安培，使用SMD6-5封裝形式，增加了爬電距離，增大表面絕緣面積，增強耐用度。碳化矽光耦合繼電器具備高崩潰電壓、高電場強度、亦具備高導熱能力，並確保其產品能於-40...

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此小型光耦合繼電器可負載高達3300伏的電壓，使用SMD6-5的封裝形式。碳化矽光耦合繼電器具備高崩潰電壓、高電場強度、亦具備高導熱能力，並確保其產品能於-40...

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此光耦合繼電器能負載高達3300伏的電壓，耐電流300毫安培，封裝於SMD8-6。使用碳化矽做為繼電器內部MOSFET材料。內部使用LED驅動碳化矽MOSFET開關，可以一直開關動作直到LED光衰，壽命在正常負載條件使用下長達數十年之久。碳化矽光耦合繼電器具備高崩潰電壓、高電場強度、亦具備高導熱能力，並確保其產品能於-40...

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採特殊封裝以增加爬電距離, 3000V/500mA 光耦合繼電器 - 特殊封裝,3000V/500mA SPST-NO(1 Form A)
採特殊封裝以增加爬電距離, 3000V/500mA 光耦合繼電器
AN53

此產品可負載高達3300伏的電壓，耐電流達500mA，為常開型的碳化矽半導體式光耦合繼電器。AN53使用特殊形式封裝，除了讓腳位能更容易取代磁簧繼電器，也大幅提升了絕緣性與耐電流。為了使繼電器的負載電壓能再提高，並確保於惡劣環境下繼電器的運作能不受影響，因此使用了碳化矽做為繼電器內部晶片的材料。此繼電器適用於逆變器、充電站、電動車的電池管理系統，可耐受濕度和溫度的大幅波動。全系列產品在1K無塵室條件下生產，工廠擁有...

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1800V/30mA 光耦合繼電器(SiC MOSFET),DIP6-5 - DIP6-5,1800V/30mA SPST-NO(1 Form A), SiC MOSFET
1800V/30mA 光耦合繼電器(SiC MOSFET),DIP6-5
AA58

這是一顆可負載 1800V電壓的半導體式小型光耦合繼電器。內部的MOSFET由碳化矽為材料製成，因而大幅增加電壓負載能力與耐用度。為了避免機械接點，內部設計使用LED驅動...

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AS58F Series 規格書
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1800V/30mA 光耦合繼電器(SiC MOSFET),SO-16; Creepage > 8mm

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拓緯 1800V/30mA 光耦合繼電器(SiC MOSFET),SO-16; Creepage > 8mm服務簡介

拓緯實業股份有限公司是一家擁有超過30年經驗的專業1800V/30mA 光耦合繼電器(SiC MOSFET),SO-16; Creepage > 8mm生產製造商. 我們成立於西元1988年, 在繼電器研發與生產領域上, 拓緯提供專業高品質的1800V/30mA 光耦合繼電器(SiC MOSFET),SO-16; Creepage > 8mm製造服務，拓緯 以追求為客戶提供高品質的產品與服務為目標。