Relais à semi-conducteurs SO16, 1800V/30mA (MOSFET SiC)
AS58F
SO-16,1800V/30mA,Opto-MOS Relay (SiC MOSFET)
Ce relais à état solide en carbure de silicium peut supporter une tension allant jusqu'à 3300V avec un boîtier SO-16 dont la distance de fuite est > 8mm. Ce relais est conçu pour les modules de détection d'isolation des systèmes de gestion de batterie où la tension de charge et la distance de fuite sont des paramètres critiques. Il est composé d'un MOSFET SiC photoélectriquement couplé à une LED infrarouge. Il peut supporter une haute tension, un environnement volatile, l'humidité et des températures fluctuantes. Tous les processus de fabrication sont réalisés dans des salles blanches de qualité 1k situées dans notre usine, avec les certifications ISO9001 et IATF16949.
Caractéristiques
- Relais à MOSFET Opto-SiC
- Taille miniature
- MOSFET en carbure de silicium
- Longue durée de vie (sans contacts mécaniques)
- Opérations silencieuses (sans contacts mécaniques)
- Linéarité de performance exceptionnelle
- Nécessite un faible courant/tension d'entraînement
- Bruit minimisé
- Isolation élevée
- Isolation élevée
Formulaire de contact
- 1 Form A
Tension de claquage E/S
- 5000
Type de charge
- AC
- DC
Tension de charge (V)
- 1800
Courant de charge (A)
- 0.03
Type de boîtier
- SO-16
Résistance à l'état passant (Ω)
- 100
Application
- Système de gestion de batterie (BMS)
- Modules de détection d'isolation
- Véhicule électrique
- Stations de recharge
- Mécanisme de protection haute tension
- Équipement de test automatique (ATE)
- Contrôle industriel
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