3300V/300mA 光耦合繼電器(SiC MOSFET), DIP8-6
AM53
DIP8-6, 3300V/ 300mA, Opto-MOS Relay (SiC MOSFET)
此小型光耦合繼電器可負載高達3300伏的電壓，使用SMD6-5的封裝形式。碳化矽光耦合繼電器具備高崩潰電壓、高電場強度、亦具備高導熱能力，並確保其產品能於-40 °C to 125 °C ( -40°F to 257°F)以及各種惡劣環境下正常運作。
內部由LED 驅動 SiC MOSFET 進行開關，以光信號為媒介來實現電信號的耦合與傳遞，輸入與輸出具有更好的隔離度與抗干擾。
結合微型尺寸設計、高絕緣性、高崩潰電壓 (3300V)、良好散熱等特性，碳化矽光耦合繼電器適用於電池管理系統絕緣檢測線路 (BMS Insulation Detection Circuit) 應用。當電池模組內絕緣劣化時，會有接地故障電流通過光耦合繼電器，因而啟動保護機制。因為電池模組的總電壓很高，拓緯的碳化矽光耦合繼電器高耐壓特性才能滿足絕緣檢測線路需求。
拓緯的碳化矽光耦合繼電器從晶片設計到晶片切割、擴晶、固晶、打線、到封裝、測試皆在拓緯擁有 ISO9001 與 IATF16949車規認證的新竹廠1K等級無塵室中完成。品質管控、供應鏈管理、成本控制、交期皆是優勢。
產品特性
- 小尺寸
- 長寬: 8.8mm*6.4mm
- 高: 3.4mm
- 內部使用碳化矽MOSFET
- 無機械接點造就超長壽命
- 無機械接點造就無聲運作
- 線性度表現佳
- 低失真
- 低耗電
- 低雜訊
- 高隔離
- 高絕緣性
接點形式
- 1 Form A
輸入/輸出間絕緣耐壓 (V)
- 3750
- 5000
交流/直流
- AC
- DC
耐電壓 (V)
- 3300
耐電流 (A)
- 0.3
封裝形式
- DIP8-6
導通電組 (Ω)
- 3.2
產品應用
- 電動車電池管裡系統 (BMS)
- 充電樁
- 絕緣檢測、高壓檢測
- 半導體測試介面板
- 半導體測試機 (ATE)
- 工業控制
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AA51
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1200V/470mA 光耦合繼電器(SiC MOSFET), SMD6-5
AA51F
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1200V/470mA 光耦合繼電器(SiC MOSFET), DIP8-6
AM51
採用DIP8-6封裝形式的AM51 為碳化矽半導體式小型光耦合繼電器。能負載1200伏電壓，470毫安培電流，導通電阻為...
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AA52F
能負載高達1700伏的AA52F，是一顆採用8.8mm*6.4mm SMD6-5封裝形式的碳化矽半導體式小型光耦合繼電器，耐電流為350毫安培，導通電阻為...
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3300V/300mA 光耦合繼電器(SiC MOSFET), DIP6-5
AA53
此小型光耦合繼電器可負載高達3300伏的電壓，耐電流達300mA，為A接點常開型的碳化矽半導體式小型光耦合繼電器。使用8.8mm*6.4mm...
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3300V/300mA 光耦合繼電器(SiC MOSFET), SMD6-5
AA53F
此小型光耦合繼電器可負載高達3300伏電壓，耐電流330毫安培，使用SMD6-5封裝形式，增加了爬電距離，增大表面絕緣面積，增強耐用度。碳化矽光耦合繼電器具備高崩潰電壓、高電場強度、亦具備高導熱能力，並確保其產品能於-40...
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3300V/300mA 光耦合繼電器(SiC MOSFET), DIP8-6
AM53
此小型光耦合繼電器可負載高達3300伏的電壓，使用SMD6-5的封裝形式。碳化矽光耦合繼電器具備高崩潰電壓、高電場強度、亦具備高導熱能力，並確保其產品能於-40...
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3300V/300mA 光耦合繼電器(SiC MOSFET), SMD8-6
AM53F
此光耦合繼電器能負載高達3300伏的電壓，耐電流300毫安培，封裝於SMD8-6。使用碳化矽做為繼電器內部MOSFET材料。內部使用LED驅動碳化矽MOSFET開關，可以一直開關動作直到LED光衰，壽命在正常負載條件使用下長達數十年之久。碳化矽光耦合繼電器具備高崩潰電壓、高電場強度、亦具備高導熱能力，並確保其產品能於-40...
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採特殊封裝以增加爬電距離, 3000V/500mA 光耦合繼電器
AN53
此產品可負載高達3300伏的電壓，耐電流達500mA，為常開型的碳化矽半導體式光耦合繼電器。AN53使用特殊形式封裝，除了讓腳位能更容易取代磁簧繼電器，也大幅提升了絕緣性與耐電流。為了使繼電器的負載電壓能再提高，並確保於惡劣環境下繼電器的運作能不受影響，因此使用了碳化矽做為繼電器內部晶片的材料。此繼電器適用於逆變器、充電站、電動車的電池管理系統，可耐受濕度和溫度的大幅波動。全系列產品在1K無塵室條件下生產，工廠擁有...
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1800V/30mA 光耦合繼電器(SiC MOSFET),DIP6-5
AA58
這是一顆可負載 1800V電壓的半導體式小型光耦合繼電器。內部的MOSFET由碳化矽為材料製成，因而大幅增加電壓負載能力與耐用度。為了避免機械接點，內部設計使用LED驅動...
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