SiC-MOSFET-Relais (1500V bis 6600V)
Durch den Einsatz von Siliziumkarbid-MOSFETs in unseren optisch gekoppelten Relais werden die Lastspannungen auf bis zu 3300V erhöht, mit 6600V in der Entwicklung. Die Eingangs-/Ausgangs-Durchbruchspannung liegt bei Auswahlmöglichkeiten von 3750V und 5000V. Diese Opto-SiC-MOSFET-Relais mit hoher Lastspannung sind nach AEC-Q101 zertifiziert und werden in den Reinräumen der Klasse 1K der Fabrik von Bright Toward hergestellt.
Bild | name | Kontaktformular | Lastspannung (V) | Lastspannung (A) | Herunterladen | Aktion |
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AA58 | 1800V/30mA Solid State Relay(SiC MOSFET),DIP6-5 | 1 Form A | 1800 | 0.03 | ||
AA58F | 1800V/30mA Solid State Relay(SiC MOSFET),SMD6-5 | 1 Form A | 1800 | 0.03 | ||
AS58F | 1800V/30mA/SO16 Solid State Relay (SiC MOSFET) | 1 Form A | 1800 | 0.03 |