SiC MOSFETリレー（1500Vから6600V） - B.T - ソリッドステートリレー、リードリレー、MEMSスイッチの製造業者。

シリコンカーバイドMOSFETを光結合リレーに適用することで、負荷電圧は最大3300Vまで増加し、開発中では6600Vにまで向上します。 入出力の耐圧は3750Vと5000Vの選択肢があります。これらの高負荷電圧オプトSiC-MOSFETリレーは、Bright Towardの工場の1Kグレードのクリーンルームで製造され、AEC-Q101認証を取得しています。 B.Tは台湾の高品質なRF MEMSスイッチ、Opto-MOSリレー、Opto-MOSFETリレー、リードリレー、ソリッドステートリレーのメーカーです。 30年以上のリレー製造経験を持つBright Towardは、さまざまな種類のリレーの製造に特化しています。

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SiC MOSFETリレー（1500Vから6600V）

1500Vから3300V以上の電圧を負荷する光結合SiC MOSFETリレー。 / Bright Toward Industrial Co., LTD.は、ソリッドステートリレー、リードリレー、およびMEMSスイッチの製造業者です。

1500Vから3300V以上の電圧を負荷する光結合SiC MOSFETリレー。
1500Vから3300V以上の電圧を負荷する光結合SiC MOSFETリレー。

SiC MOSFETリレー（1500Vから6600V）

シリコンカーバイドMOSFETを光結合リレーに適用することで、負荷電圧は最大3300Vまで増加し、開発中では6600Vにまで向上します。 入出力の耐圧は3750Vと5000Vの選択肢があります。これらの高負荷電圧オプトSiC-MOSFETリレーは、Bright Towardの工場の1Kグレードのクリーンルームで製造され、AEC-Q101認証を取得しています。

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画像 name 接触フォーム 負荷電圧 (V) 負荷電流 (A) ダウンロード アクション
1800V/30mA ソリッドステートリレー（SiC MOSFET）、DIP6-5 AA58 1800V/30mA ソリッドステートリレー（SiC MOSFET）、DIP6-5

1 Form A

1800

0.03
1800V/30mA ソリッドステートリレー（SiC MOSFET）、DIP6-5
1800V/30mA ソリッドステートリレー（SiC MOSFET）、SMD6-5 AA58F 1800V/30mA ソリッドステートリレー（SiC MOSFET）、SMD6-5

1 Form A

1800

0.03
1800V/30mA ソリッドステートリレー（SiC MOSFET）、SMD6-5
1800V/30mA/SO16 ソリッドステートリレー（SiC MOSFET） AS58F 1800V/30mA/SO16 ソリッドステートリレー（SiC MOSFET）

1 Form A

1800

0.03
1800V/30mA/SO16 ソリッドステートリレー（SiC MOSFET）
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B.T - SiC MOSFETリレーの製造業者（1500Vから6600V）

1988年から台湾に位置するBright Toward Industrial Co., LTD.は、リレーの供給業者および製造業者です。主な製品には、オプトMOSFETリレー、オプトSiC MOSFETリレー、ソリッドステートリレー、リードリレー、RF MEMSスイッチが含まれます。

B.Tは、30年以上にわたり世界の半導体および自動車産業にリレーを供給しており、日本のOKITA Works、カリフォルニアのMenlo Microsystems、日本のJEL Systems、カリフォルニアのTeledyne Relays and Coax Switchesとの長期的なパートナーシップを築いています。主に、半導体テスト、ATE、BMS（バッテリー管理システム）、産業機械、電気自動車産業にサービスを提供しています。

B.Tは、1988年以来、高品質なOpto-MOSFETおよびOpto-SiC MOSFETリレーを提供しており、先進技術と30年の経験を持っています。B.Tは、お客様の要求を満たすことを保証しています。