Commutateur RF MEMS micro-mécanique 8 GHz DPDT (amélioré ESD) avec boucle de rétroaction
M2CG
Il s'agit d'un commutateur RF MEMS micro-mécanique DPDT haute puissance (Longueur*Largeur*Hauteur : 7,5*4,4*2,0mm). Chaque canal est capable d'une puissance directe supérieure à 9W. Cet interrupteur RF MEMS offre une perte d'insertion ultra faible et une linéarité supérieure de DC à 8 GHz avec plus de 3 milliards d'opérations marche/arrêt. Le M2CG est conçu pour une protection ESD améliorée jusqu'à 2KV HBM. Il est idéal dans les applications où la linéarité, la perte d'insertion et la protection contre les décharges électrostatiques sont des paramètres critiques.
Caractéristiques
- DC à 8 GHz
- DPDT
- Linéarité élevée IP3 > 90 dBm
- Perte d'insertion à l'état actif : 3,0 dB @ 8 GHz
- Isolation de 35 dB @ 8 GHz
- Capacité à l'état inactif de 15 fF
- 3 milliards d'opérations de commutation
- Temps de commutation de 3 microsecondes
- ESD de 2000V (HBM)
Formulaire de contact
- DPDT (MEMS Switch)
Fréquence
- 8 GHz
Gestion de la puissance
- 9W (CW) 100W (Pulsed)
Tension de charge (V)
- 150
Courant de charge (A)
- 0.5
Résistance à l'état passant (Ω)
- 1
Perte d'insertion
- 3dB @ 8GHz
Perte de Retour
- 10dB@ 8GHz
Isolement
- 35dB
Protection ESD
- 2,000V
Application
- Bancs de filtres commutables et filtres accordables
- Frontaux RF haute puissance
- Tests de semi-conducteurs
- Accord d'antenne
- Orientation du faisceau d'antenne
- Atténuateurs numériques par paliers
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Fiche technique M2CG
Commutateur RF MEMS DPDT à 12 GHz (amélioré contre les décharges électrostatiques)
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