8 GHz DPDT 마이크로 기계 RF MEMS 스위치 (ESD 향상) 루프백과 함께
M2CG
이것은 고전력 DPDT 마이크로 기계식 RF MEMS 스위치입니다 (길이*너비*높이: 7.5*4.4*2.0mm). 각 채널은 9W 이상의 전방 전력을 지원할 수 있습니다. 이 RF MEMS 스위치는 DC에서 8GHz까지 30억 회 이상의 온/오프 작동으로 초저 손실과 우수한 선형성을 제공합니다. M2CG는 최대 2KV HBM의 향상된 ESD 보호를 위해 설계되었습니다. 선형성, 삽입 손실 및 ESD 보호가 중요한 매개변수인 응용 프로그램에서 이상적입니다.
기능
- DC에서 8GHz까지
- DPDT
- 높은 선형성 IP3 > 90 dBm
- 온 상태 삽입 손실: 3.0 dB @ 8GHz
- 35 dB 격리 @ 8 GHz
- 오프 상태 정전 용량 15fF
- 30억 스위칭 작업
- 3 마이크로초 켜짐 시간
- 2000V ESD (HBM)
연락처 양식
- DPDT (MEMS Switch)
주파수
- 8 GHz
전력 처리
- 9W (CW) 100W (Pulsed)
부하 전압 (V)
- 150
부하 전류 (A)
- 0.5
온 저항 (Ω)
- 1
삽입 손실
- 3dB @ 8GHz
반사 손실
- 10dB@ 8GHz
절연
- 35dB
ESD 보호
- 2,000V
애플리케이션
- 스위치드 필터 뱅크 및 튜너블 필터
- 고출력 RF 프론트 엔드
- 반도체 테스트
- 안테나 튜닝
- 안테나 빔 스티어링
- 디지털 스텝 감쇠기
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