16 GHz SP4T 마이크로 기계식 RF MEMS 스위치 (ESD 강화)
M4AG
이것은 고전력 SP4T 마이크로 기계식 RF MEMS 스위치입니다 (길이*너비*높이: 5.8*5.8*1.9mm). 각 채널은 9W 이상의 전방 전력을 지원합니다. 이 RF MEMS 스위치는 DC에서 16GHz까지 30억 회 이상의 온/오프 작동으로 초저 손실과 우수한 선형성을 제공합니다. M4AG는 최대 2KV HBM의 향상된 ESD 보호를 위해 설계되었습니다. 선형성, 삽입 손실 및 ESD 보호가 중요한 매개변수인 응용 프로그램에서 이상적입니다.
기능
- DC에서 16GHz까지
- SP4T
- 고선형성, IP3 > 95 dBm
- 저 On-State 삽입 손실: 16 GHz에서 3 dB
- 오프 상태 정전 용량 15fF
- 고신뢰성 > 30억 회 전환 동작
- 8 마이크로초 켜기 시간
- 2000V ESD (HBM)
연락처 양식
- SP4T (MEMS Switch)
주파수
- 16 GHz
전력 처리
- 9W (CW) 100W (Pulsed)
부하 전압 (V)
- 150
부하 전류 (A)
- 0.5
온 저항 (Ω)
- 1
삽입 손실
- 3.0dB@ 16GHz
- 1.0dB@ 6GHz
반사 손실
- 10dB@ 16GHz
- 15dB@ 6GHz
절연
- 20dB@ 16GHz
- 30dB@ 6GHz
ESD 보호
- 2,000V
10Gbps에서의 성능 (차분 신호 경로)
아이 높이: 607 mV/ 아이 폭: 94.6 ps/ 지터 7.9593 ps
10Gbps에서의 성능 (루프백 경로)
아이 높이: 606 mV/ 아이 폭: 94.8 ps/ 지터: 7.8224 ps
20Gbps에서의 성능 (차분 신호 경로)
아이 높이: 457 mV/ 아이 폭: 43.46 ps/ 지터 9.5976 ps
20Gbps에서의 성능 (루프백 경로)
아이 높이: 457 mV/ 아이 폭: 43.46 ps/ 지터: 9.5978 ps
32 Gbps 성능 (차등 신호 경로)
아이 높이: 135mV/ 아이 폭: 21.97 ps/ 지터: 12.636 ps
32 Gbps 성능 (루프백 경로)
아이 높이: 140 mV/ 아이 폭: 21.97 ps/ 지터 12.137 ps
애플리케이션
- 스위치드 필터 뱅크 및 튜너블 필터
- 고출력 RF 프론트 엔드
- 저손실 스위치 매트릭스
- RF EM 릴레이 교체
- 안테나 튜닝
- 안테나 빔 스티어링
- 디지털 스텝 감쇠기
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