Interruptor RF MEMS micro-mecánico DPDT de 8 GHz (Protección ESD) con retorno de bucle
M2CG
Este es un interruptor RF MEMS micro-mecánico DPDT de alta potencia (Longitud*Ancho*Altura: 7.5*4.4*2.0mm). Cada canal es capaz de generar una potencia hacia adelante superior a 9W. Este interruptor RF MEMS proporciona una pérdida de inserción ultra baja y una linealidad superior desde DC hasta 8GHz con más de 3 mil millones de operaciones de encendido/apagado. El M2CG está diseñado para una protección mejorada contra descargas electrostáticas de hasta 2KV HBM. Es ideal en aplicaciones donde la linealidad, la pérdida de inserción y la protección contra descargas electrostáticas son parámetros críticos.
Características
- DC a 8 GHz
- DPDT
- Linealidad de alta IP3 > 90 dBm
- Pérdida de inserción en estado activo: 3.0 dB @ 8GHz
- 35 dB de aislamiento @ 8 GHz
- Capacitancia en estado inactivo a 15fF
- 3 mil millones de operaciones de conmutación
- Tiempo de encendido de 3 microsegundos
- 2000V ESD (HBM)
Formulario de contacto
- DPDT (MEMS Switch)
Frecuencia
- 8 GHz
Manejo de potencia
- 9W (CW) 100W (Pulsed)
Voltaje de carga (V)
- 150
Corriente de carga (A)
- 0.5
Resistencia de encendido (Ω)
- 1
Pérdida de inserción
- 3dB @ 8GHz
Pérdida de Retorno
- 10dB@ 8GHz
Aislamiento
- 35dB
Protección ESD
- 2,000V
Aplicación
- Bancos de filtros conmutados y filtros ajustables
- Front-ends de RF de alta potencia
- Pruebas de semiconductores
- Ajuste de antenas
- Dirección de haz de antena
- Atenuadores digitales de paso
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