1200V/470mA/DIP6-5ソリッドステートリレー(SiC MOSFET)
AA51
このシリコンカーバイドICミニチュア固体リレーは、最大1200Vの負荷電圧と470mAの負荷電流を提供し、オン抵抗は0.6Ωです。...
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AA51F
最大1200Vの負荷電圧と470mAの負荷電流を持つ、シリコンカーバイド製の小型ICソリッドステートリレーは、バッテリーマネジメントシステム(BMS)における絶縁検出などの高電圧アプリケーションに最適です。...
詳細 リストに追加する1200V/470mA DIP8-6ソリッドステートリレー(SiC MOSFET)
AM51
1200Vの負荷電圧を持つコンパクトなDIP8-6パッケージには、シリコンカーバイド製の小型ICソリッドステートリレーがあります。このリレーは、バッテリーマネジメントシステム(BMS)における絶縁検出などの高電圧アプリケーションに使用されます。...
詳細 リストに追加する1200V/470mA/SMD8-6 ソリッドステートリレー(SiC MOSFET)
AM51F
この1200Vの負荷電圧、470mAの負荷電流、SMD8-6シリコンカーバイドICソリッドステートリレーは、バッテリーマネジメントシステム(BMS)における絶縁検出などの高電圧アプリケーションに対応しています。...
詳細 リストに追加する1700V/350mA/DIP6-5 固体リレー (SiC MOSFET)
AA52
このDIP6-5シリコンカーバイドICソリッドステートリレーは、最大1700Vの負荷電圧、350mAの負荷電流に対応しており、バッテリーマネジメントシステム(BMS)における絶縁検出などの高電圧アプリケーションに使用されます。...
詳細 リストに追加する1700V/350mA/SMD6-5 ソリッドステートリレー(SiC MOSFET)
AA52F
TOWARD RELAYSの1700V/350mA、オン抵抗0.6Ω、SMD6-5シリコンカーバイドIC固体リレーは、バッテリーマネジメントシステム(BMS)における絶縁検出などの高電圧アプリケーションに向けて設計されています。シリコンカーバイドMOSFETとLEDをドライバとして組み込むことで、揮発性のある環境で高電圧に耐えながら、ほぼ無制限の寿命を持つことができます。
詳細 リストに追加する3300V/300mA/DIP6-5 ソリッドステートリレー(SiC MOSFET)
AA53
DIP6-5パッケージで最大3300Vの負荷電圧を持つ当社のSiC IC固体リレーは、業界で最も革新的な製品です。...
詳細 リストに追加する3300V/300mA/SMD6-5 ソリッドステートリレー(SiC MOSFET)
AA53F
SMD6-5シリコンカーバイドICソリッドステートリレーは、3300Vの負荷電圧を持ち、300mAの負荷電流を運ぶことができ、業界内で特異な地位を持っています。...
詳細 リストに追加する3300V/300mA/DIP8-6 ソリッドステートリレー(SiC MOSFET)
AM53
最大3300Vの負荷電圧をミニチュアDIP8-6パッケージで扱える当社のシリコンカーバイドIC固体リレーは、業界で最も革新的な製品です。...
詳細 リストに追加する3300V/300mA/SMD8-6 ソリッドステートリレー(SiC MOSFET)
AM53F
SMD8-6パッケージで最大3300Vの負荷電圧を持つ当社のシリコンカーバイドIC固体リレーは、業界で最も革新的な製品です。...
詳細 リストに追加するクリープ距離を改善するためのパッケージユニーク、3000V/500mA、固体状態リレー
AN53
このユニークなパッケージ化された3000V/500mAの小型シリコンカーバイドICソリッドステートリレーは、自動テスト装置(ATE)、バッテリー駆動デバイス、汎用電子テスト機器のクリープ距離を大幅に改善します。...
詳細 リストに追加する3300V/350mA/SO16 ソリッドステートリレー(SiC MOSFET)
AS53F
当社の350mAシリコンカーバイドICソリッドステートリレーは、高需要のアプリケーションに適した製品で、最大3300Vの負荷電圧をサポートし、8mm以上のクリーピージ距離を確保しています。...
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