Relés SiC MOSFET (1500V a 6600V)
Al aplicar MOSFET de carburo de silicio en nuestros relés ópticamente acoplados, los voltajes de carga se incrementan hasta 3300V, con 6600V en desarrollo. El voltaje de ruptura de entrada/salida está en opciones de 3750V y 5000V. Estos relés de Opto SiC-MOSFET de alto voltaje son certificados AEC-Q101, fabricados en las salas limpias de grado 1K de la fábrica de Bright Toward.
Imagen | name | Formulario de contacto | Voltaje de carga (V) | Corriente de carga (A) | Descargar | Acción |
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AA58 | Relé de estado sólido 1800V/30mA (MOSFET de SiC), DIP6-5 | 1 Form A | 1800 | 0.03 | ||
AA58F | Relé de estado sólido 1800V/30mA (MOSFET de SiC), SMD6-5 | 1 Form A | 1800 | 0.03 | ||
AS58F | Relé de estado sólido SO16 1800V/30mA (MOSFET de SiC) | 1 Form A | 1800 | 0.03 |