Реле на основе SiC MOSFET (1500V до 6600V)
Применяя кремниево-карбидные MOSFET-транзисторы в наших оптически изолированных реле, напряжение нагрузки повышается до 3300 В, с разработкой до 6600 В. Напряжение пробоя ввода/вывода составляет 3750 В и 5000 В. Эти реле опто SiC-MOSFET высокого напряжения для высоких нагрузок сертифицированы по AEC-Q101, произведены в чистых помещениях 1K-го класса завода Bright Toward.
Изображение | name | Контактная форма | Напряжение нагрузки (V) | Нагрузочный ток (A) | Скачать | Действие |
---|---|---|---|---|---|---|
AA58 | 1800V/30mA Твердотельное реле (SiC MOSFET), DIP6-5 |
1 Form A |
1800 |
0.03 |
||
AA58F | 1800V/30mA Твердотельное реле (SiC MOSFET), SMD6-5 |
1 Form A |
1800 |
0.03 |
||
AS58F | 1800V/30mA/SO16 Твердотельное реле (SiC MOSFET) |
1 Form A |
1800 |
0.03 |