650V/800mA 光耦合继电器,DIP8-6
AM38
此光耦合继电器，耐电压达650伏，耐电流800毫安培，为A接点(1 Form A)常开半导体式小型光耦合继电器。使用DIP8-6的封装形式。 内部由LED...
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650V/800mA 光耦合继电器,SMD8-6
AM38F
此继电器可负载电压650伏，耐电流800毫安培。产品在无机械接点设计下运用LED驱动MOSFET进行开关，正常负载下可不断开关至LED光衰，因此使用寿命可延长至数十年之久。另外，SMD8-6的封装形式，使爬电距离增加，增强绝缘表面积，产品耐用性也有着明显的提升。 结合微型尺寸设计、高绝缘性、和良好线性度等特点，此继电器应用于半导体测试设备、电力调整器、电源供应器、工业控制等产业，其中大量用于电池管理系统(Battery...
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1500V/45mA 光耦合继电器,DIP-6-5
AA40-5
此半导体式小型光耦合继电器采DIP6-5的封装形式以增加爬电距离，增大绝缘表面积，以强化耐用性。可负载高达1500伏的电压。内部由LED...
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1500V/45mA 光耦合继电器,SMD6-5
AA40F-5
耐电压高达1500伏，耐电流达45毫安培，采SMD-5封装的光耦合继电器。此封装形式使爬电距增加，增大绝缘表面积，以强化耐用性。结合微型尺寸设计、高绝缘性、和良好线性度、开关速度快(小于0.02秒)、且拥有超长寿命的特点，适用于电源和电池管理系统(BMS)...
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60V/2.5A 光耦合继电器,DIP-4
AB42
此产品采用4.7mm*4.6mm DIP-4封装形式，耐电流可达2.5安培，耐电压60伏，为单刀单掷(SPST)，A接点常开半导体式小型光耦合继电器。此继电器采无接点设计，内部使用LED驱动MOSFET进行开关，可以一直动作直到LED光衰，寿命在正常使用下长达数十年之久，这样的设计成功解决了接点碳化造成寿命表现不佳与电性不稳等问题。 42系列拥有高耐流的特性，经过UL认证，拓緯晶片型的继电器从晶片设计到晶片切割、固晶、打线、到封装、测试皆在拓緯拥有ISO9001...
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60V/2A 光耦合继电器,SMD-8
AC42F
此继电器耐电流达2安培，耐电压达60伏，为双通道单刀单掷(SPST*2)，两个A接点组成的的常开型光耦合继电器。使用表面积为9.8mm*6.4mm...
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