80V/1.25A 光耦合继电器,DIP-4
AB47
DIP-4, 80V/ 1.25A, Opto-MOS Relay
此光耦合继电器耐电压达80伏，耐电流达1.25安培。采单通道A接点,常开(1 Form A, SPST)接点形式。
光耦合继电器内部动作原理由LED 驱动MOSFET 进行开关，以光信号为媒介来实现电信号的耦合与传递，除了拥超长寿命外，输入与输出相对于一般电气耦合的继电器具有更好的隔离度与抗干扰。
结合微型尺寸设计、高绝缘性、和良好线性度等特点，此继电器适用于半导体测试、ATE、电池管理系统...等应用。拓緯晶片型的继电器从晶片设计到晶片切割、固晶、打金线、到封装、测试皆在拓緯拥有ISO9001 与IATF16949认证的新竹厂1K等级无尘室中完成。品质、交期、客制化需求皆是优势。
产品特性
- 小尺寸
- 长宽: 6.4mm*4.7mm
- 高: 3.4mm
- 无机械接点造就超长寿命
- 无机械接点造就无声运作
- 线性度表现佳
- 低失真
- 低耗电
- 低杂讯
- 高隔离
- 高绝缘性
接点形式
- 1 Form A
输入/输出间绝缘耐压(V)
- 3750
- 5000
交流/直流
- AC
- DC
耐电压(V)
- 80
耐电流(A)
- 1.25
封装形式
- DIP-4
导通电组(Ω)
- 0.13
产品应用
- 电池管里系统(BMS)
- 电动车
- 半导体测试介面板
- 半导体测试机(ATE)
- 工业控制
- 量测仪器
- 感应仪器
- 保全相关消费性产品
- 电信设备
- 调制解调器
- 关联产品
80V/1A 光耦合继电器,DIP-8
AC47
此继电器耐电流达1安培，耐电压达80伏，采DIP-8封装形式。 光耦合继电器设计原理无机械接点，内部使用LED驱动MOSFET进行开关，可以一直开关动作直到LED光衰，寿命在正常负载条件使用下长达数十年之久，完全解决了传统机械式继电器接点碳化造成寿命表现不佳与电性不稳等问题。 此半导体式光耦合继电器从晶片设计到晶片切割、固晶、打线、到封装、测试皆在拓緯拥有ISO9001...
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80V/1.5A 光耦合继电器,SMD-6
AA47F
此产品采SMD-6封装形式，耐电压达80伏，耐电流达1.5安培，为可负载高电流同时拥低导通电阻的半导体式小型光耦合继电器。 光耦合继电器内部设计原理使用LED驱动MOSFET进行开关，避免了机械接点，在正常附载下给予继电器数十年的寿命直到LED光衰，完全解决了传统机械式继电器因接点碳化造成寿命表现不佳与电性不稳等问题。 此产经UL认证，由拓緯于新竹厂1k无尘室生产，工厂经ISO...
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80V/1A 光耦合继电器,SMD-8
AC47F
此光耦合继电器采用SMD-6封装形式，耐电压达80伏，耐电流达1安培，可负载高电流造就低导通电阻特性。除了微型尺寸设计，也结合了高绝缘性、良好线性度、良好寿命表现等特点。 此半导体式光耦合继电器从晶片设计到晶片切割、固晶、打线、到封装、测试皆在拓緯拥有ISO9001...
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80V/1.25A 光耦合继电器,SOP-4
AB47S
此产品为单刀单掷(SPST) 常开的半导体式小型光耦合继电器，使用SOP-4封装形式，耐电压达80伏，耐电流达1.25安培。 此继电器采无机械接点设计，内部设计原理使用LED驱动MOSFET进行开关，寿命在正常负载条件使用下长达数十年之久，完全解决了传统机械式继电器接点碳化造成寿命表现不良与电性不稳等问题。 AB47S...
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80V/1.5A 光耦合继电器,泄漏电流< 1nA
AB47-pA, AA47-pA, AC47-pA, AB47F-pA, AA47F-pA, AC47F-pA, AB47S-pA, AC47S-pA,
此光耦合继电器耐电流达1.5安培，耐电压80伏，泄漏电流< 1nA。此继电器采无机械接点设计，内部使用LED驱动MOSFET进行开关，可以一直开关动作直到LED光衰，寿命在正常使用下长达数十年之久，完全解决了传统机械式继电器接点碳化造成寿命表现不良与电性不稳等问题。 此低漏电流系列的封装形式有SMD4/6/9、DIP-4/6/9、和SOP-4/8的选择。 此半导体式光耦合继电器从晶片设计到晶片切割、固晶、打线、到封装、测试皆在拓緯拥有ISO9001...
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